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公开(公告)号：CN117572931A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311487540.2
申请日：2023-11-09
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提出一种高能效CMOS模拟退火伊辛芯片，包括处理器核心、分别与处理器核心连接用于数据的读取和写入的SRAM外围读写驱动电路以及用于读取自旋态量子比特信息的自旋状态读出电路，处理器核心包括有若干处理单元，若干处理单元采用王图的方式进行布局，相邻的处理单元采用顶层拼接的方式进行连接。本发明利用系数复用策略提高面积效率，利用自适应加法树提高能量效率，并且配合随机数生成器实现概率翻转从而提高算法完整性和系统集成度。
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