基于Si和SiC器件的混合型多电平并网变换器及其控制方法

    公开(公告)号:CN114744898B

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202210571223.8

    申请日:2022-05-24

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 基于Si和SiC器件的混合型多电平并网变换器及其控制方法,该变换器包括三相的三电平电路单元和级联H桥整形电路单元,级联H桥整形电路单元中各相结构相同,均包括高频子模块和与其串联的低频子模块,高频子模块包括由串联的两个Si IGBT与串联的两个SiC MOSFET所构成的单相全桥变换器,低频子模块包括由四个Si IGBT所构成的单相全桥变换器。该变换器输出电压uo为由级联H桥整形电路单元输出的整形电压uchb将三电平电路单元输出的高压三电平电压unpc整形而成的正弦波。本发明将少量SiC MOSFET器件和Si IGBT器件在拓扑中混合使用,既可以提高装置效率和功率密度,又能降低成本。

    一种具备单相接地故障调控与无功补偿能力的多功能并网型变流器

    公开(公告)号:CN113422368B

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202110865719.1

    申请日:2021-07-29

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明公开了一种具备单相接地故障调控与无功补偿能力的多功能并网型变流器,该拓扑包括电网、变压器、并网型变流器;并网型变流器一端通过变压器接入电网,另一端接地;还包括并联在电网上的线路对地电阻、对地电容、接地故障过渡电阻;并网型变流器包括有源变流部分和无源部分;无源部分为TCLC结构,由晶闸管控制的电抗器、电容C1和滤波电感L2组成;电抗器由晶闸管VT1、VT2和电感L1构成,晶闸管VT1和VT2反向并联,电感L1与晶闸管VT1和VT2构成整体串联;电容C1与电抗器并联,滤波电感L2一端串联在电抗器和电容C1的节点上,另一端串联在有源变流部分;无源部分另一端由晶闸管控制的电抗器和电容C1的节点通过变压器接入电网。本发明可以实现降低有源部分电压的效果。

    基于Si和SiC器件的混合型多电平并网变换器及其控制方法

    公开(公告)号:CN114744898A

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN202210571223.8

    申请日:2022-05-24

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 基于Si和SiC器件的混合型多电平并网变换器及其控制方法,该变换器包括三相的三电平电路单元和级联H桥整形电路单元,级联H桥整形电路单元中各相结构相同,均包括高频子模块和与其串联的低频子模块,高频子模块包括由串联的两个Si IGBT与串联的两个SiC MOSFET所构成的单相全桥变换器,低频子模块包括由四个Si IGBT所构成的单相全桥变换器。该变换器输出电压uo为由级联H桥整形电路单元输出的整形电压uchb将三电平电路单元输出的高压三电平电压unpc整形而成的正弦波。本发明将少量SiC MOSFET器件和Si IGBT器件在拓扑中混合使用,既可以提高装置效率和功率密度,又能降低成本。

    一种具备单相接地故障调控与无功补偿能力的多功能并网型变流器

    公开(公告)号:CN113422368A

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN202110865719.1

    申请日:2021-07-29

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明公开了一种具备单相接地故障调控与无功补偿能力的多功能并网型变流器,该拓扑包括电网、变压器、并网型变流器;并网型变流器一端通过变压器接入电网,另一端接地;还包括并联在电网上的线路对地电阻、对地电容、接地故障过渡电阻;并网型变流器包括有源变流部分和无源部分;无源部分为TCLC结构,由晶闸管控制的电抗器、电容C1和滤波电感L2组成;电抗器由晶闸管VT1、VT2和电感L1构成,晶闸管VT1和VT2反向并联,电感L1与晶闸管VT1和VT2构成整体串联;电容C1与电抗器并联,滤波电感L2一端串联在电抗器和电容C1的节点上,另一端串联在有源变流部分;无源部分另一端由晶闸管控制的电抗器和电容C1的节点通过变压器接入电网。本发明可以实现降低有源部分电压的效果。

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