-
公开(公告)号：CN115929724A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210062802.X
申请日：2022-01-19
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有被动阻尼器的低摩擦恒力气缸，包括活塞杆、缸筒、气浮活塞以及被动阻尼器，所述气浮活塞位于所述缸筒内，与所述缸筒内壁之间存在极小的间隙，气浮活塞将缸筒内的空腔分成下部高压腔和与外部环境连通的上部低压腔，缸筒上设有与下部高压腔连通的进气口，进气口与外部供气设备连通，所述被动阻尼器包括一对磁极相对的环形永磁体和一个与永磁体形状完全相同的环形铁片，环形铁片位于两块永磁体中间，通过螺栓固定在气浮活塞下端盖，跟随活塞一起沿轴向运动，所述被动阻尼器的直径与所述气浮活塞的直径相同。本发明的有益效果在于：在不增加刚度和外接能源的情况下增大系统的阻尼，活塞运动时产生洛伦兹力，减小恒力气缸在平衡位置时的振动，使活塞运动平稳，保持气缸压力恒定，提高了对负载位置和力的控制精度。
-
公开(公告)号：CN116482937A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210044985.2
申请日：2022-01-14
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明是一种基于快速多极子方法的电子束光刻邻近效应校正版图能量沉积的计算方法，目的是在保证精度的前提下，通过对电子束光刻版图用四叉树进行划分，在保证精度的前提下，将曝光点能量沉积的计算分为远场的近似计算和近场的精确计算，大大减少电子束光刻邻近效应校正中版图能量沉积的计算时间，从而提高电子束光刻邻近效应校正的效率。本发明共分为八个步骤：步骤S1版图网格划分和归一化；步骤S2构造四叉树；步骤S3为每个四叉树节点构造交互列表和邻近列表；步骤S4，节点内源点向节点插值点聚集；步骤S5，同层节点之间插值点转移；步骤S6，父节点插值点向子节点插值点发散；步骤S7，邻近列表计算；步骤S8更新版图曝光剂量。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116109715A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202111316982.1
申请日：2021-11-09
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明是一种电子束光刻邻近效应矫正版图压缩方法，电子束光刻邻近效应矫正版图压缩方法包括：S1归一化版图边界；S2判定每个四叉树网格区域的划分层级；S3版图图案边界对四叉树网格进行剪切；S4邻近效应矫正剂量映射入非均匀四叉树网格；S5将四叉树网格与曝光剂量存入文件。本发明采用了非均匀四叉树网格压缩方法，最大特点是在版图边缘部分网格划分相对密集，在版图的内部网格划分相对稀疏，这种压缩方法完全符合电子束邻近效应矫正的剂量特性，将电子束邻近效应矫正后的剂量映射至该网格，能够极大降低网格数量，从而提高曝光效率。
-
公开(公告)号：CN112987514B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202110400952.2
申请日：2021-04-14
Applicant: 湖南大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明是一种电子束曝光的邻近效应快速矫正方法。电子束曝光的邻近效应快速矫正方法包括：S11设置电子束曝光版图矩阵；S12使用二维快速傅里叶变换方法计算电子束正向曝光模拟的能量沉积；S13计算电子束曝光后的阈值显影图案强度；S14设置收敛精度，计算电子束曝光版图误差函数，判断是否收敛；S15计算电子束曝光剂量因子矩阵向量梯度迭代直至收敛；S16将电子束曝光版图剂量矫正结果转化为可用于曝光的数据类型。本发明实现了任意形状电子束曝光版图的邻近效应矫正计算，具有低误差率、高收敛速度率和高计算效率的特点。
-
公开(公告)号：CN111965936B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202011035302.4
申请日：2020-09-27
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于电子束邻近效应剂量矫正快速计算领域，公开了一种大规模电子束曝光版图的高精度邻近效应快速矫正方法。本发明首先将需要矫正的版图形状映射在该版图矩阵中，生成电子束曝光的二维版图，然后设置迭代参数，通过快速多极子方法优化卷积过程，并计算邻近效应矫正，最后将矫正至收敛的二维剂量矩阵结果转化为可用于直接曝光的文件格式。本发明实现了大规模电子束曝光版图的高精度邻近效应快速矫正，解决了任意形状的大规模电子束曝光的邻近效应矫正计算，有着低误差率、高收敛速度率和高计算效率的特点，对矫正的计算效率和精度极大提升，具有高计算精度、高计算效率等特点。
-
公开(公告)号：CN111965936A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202011035302.4
申请日：2020-09-27
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于电子束邻近效应剂量矫正快速计算领域，公开了一种大规模电子束曝光版图的高精度邻近效应快速矫正方法。本发明首先将需要矫正的版图形状映射在该版图矩阵中，生成电子束曝光的二维版图，然后设置迭代参数，通过快速多极子方法优化卷积过程，并计算邻近效应矫正，最后将矫正至收敛的二维剂量矩阵结果转化为可用于直接曝光的文件格式。本发明实现了大规模电子束曝光版图的高精度邻近效应快速矫正，解决了任意形状的大规模电子束曝光的邻近效应矫正计算，有着低误差率、高收敛速度率和高计算效率的特点，对矫正的计算效率和精度极大提升，具有高计算精度、高计算效率等特点。
-
公开(公告)号：CN112987514A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110400952.2
申请日：2021-04-14
Applicant: 湖南大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明是一种电子束曝光的邻近效应快速矫正方法。电子束曝光的邻近效应快速矫正方法包括：S11设置电子束曝光版图矩阵；S12使用二维快速傅里叶变化方法计算电子束正向曝光模拟的能量沉积；S13计算电子束曝光后的阈值显影图案强度；S14计算电子束曝光版图误差函数；S15设置收敛精度，判断是否收敛；S16计算电子束曝光剂量因子矩阵向量梯度迭代直至收敛；S17将电子束曝光版图剂量矫正结果转化为可用于曝光的数据类型。本发明实现了任意形状电子束曝光版图的邻近效应矫正计算，具有低误差率、高收敛速度率和高计算效率的特点。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.018 seconds)
