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公开(公告)号：CN101047383B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200710034585.9
申请日：2007-03-20
Applicant: 湖南大学
IPC: H03K19/08
Abstract: 一种电流控制全平衡差分式电流传输器，具有电控性，且能较好地抑制共模信号，具有两对差分电压输入端Y1，Y2及Y3、Y4，均具有高输入阻抗，一对差分电压跟踪端Xp，Xn，一对同相电流输出端Z1p、Z2p，一对反相电流输出端Z1n，Z2n。该电路通过调整其偏置电流IB可控制Xp，Xn端电压与差分电压输入端的关系，表示如下：VXp＝VY3+(VY1-VY2)+IXp·RX，VXn＝VY4-(VY1-VY2)+IXn·RX，其中，表示Xp和Xn的控制电阻。该电路引入了共模抑制电路，可以尽可能的减小甚至消除共模信号的影响。由该电流传输器构成的电流模式滤波器的参数(品质因数及固有频率)具有电子调谐特性，可以极大地抑制共模信号，方便地控制电路参数，并具有低电压低功耗特性，在简化结构、降低功耗、扩展频域，噪声抑制等方面都有很好的作用。
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公开(公告)号：CN101895261A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200910227018.4
申请日：2009-11-25
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种中心频率可调的超高频RFID读写器中的低噪声放大器，通过在输入端采用二阶交调电流注入结构以提高线性度；而在输出端采用开关电容的结构实现中心工作频率可调。二阶交调电流注入结构是通过对MOS管的非线性特性进行分析，然后得出使三阶交调电流值为0时的注入电流值；在输出端，采用MOS管与电容的连接方式组成开关电容对，当MOS管导通时，电容被接入，当MOS截至时，电容断开，也即通过MOS的导通与断开实现了在输出端电容值的改变。根据可知，当电感值L不变，而电容值C改变时，中心工作频率也会随着电容值C的改变而改变，这就实现了低噪声放大器的中心工作频率可调。本发明提出的混频器的工作电压为1.2V，功耗低，符合低电压低功耗的要求，简化电路结构、降低功耗以及扩展中心工作频率点等方面有很大的指导意义。
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公开(公告)号：CN101783651A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200910227019.9
申请日：2009-11-25
Applicant: 湖南大学
IPC: H03D7/14
Abstract: 本发明提出了一种面向超高频RFID读写器的下混频器，该混频器涉及一种基于Gilbert结构的具有高线性度混频器。通过在输入端采用二阶交调电流注入结构，以提高线性度；在输出端采用动态电流注入结构，从而降低噪声。二阶交调电流注入结构是通过对MOS管的非线性特性进行分析，然后得出使三阶交调电流值为0时的注入电流值；在输出端，采用动态电流注入结构，通过对各MOS管导通特性的分析，实现电流的动态注入特性，从而大大降低混频器的闪烁噪声。本发明提出的混频器的工作电压为1.2V，功耗低，符合低电压低功耗的要求，简化电路结构、降低功耗以及扩展中心工作频率点等方面有很大的指导意义。
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公开(公告)号：CN101047383A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710034585.9
申请日：2007-03-20
Applicant: 湖南大学
IPC: H03K19/08
Abstract: 本发明涉及一种差分式电流传输器，特别是一种具有电控性的能较好地抑制共模信号的CMOS第二代电流传输器。一对电压差分输入端Y1，Y2，具有高输入阻抗，一对差分电压跟踪端X+，X－，一对同相电流输出端Z1+、Z2+，一对反相电流输出端Z1－，Z2－。该电路具有电控性，即通过调整该电路的偏置电流IB可以控制X+、X－端电压与Y1、Y2端的差分电压的关系，其关系如下：VX+＝VY3+(VY1－VY2)+IX+·RX，VX－＝VY4－(VY1－VY2)+IX－·RX。其中，RX＝VT/(2IB)表示X+和X－的控制电阻，在室温下，VT＝26mv。由该电流传输器构成的电流模式滤波器的参数(品质因数及固有频率)具有电子调谐特性，所设计的电路可以极大地抑制共模信号，方便地控制电路参数，并具有低电压低功耗特性，在简化结构、降低功耗、扩展频域，噪声抑制等方面都有很好的作用。
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