一种基于Octonacci光子晶体与石墨烯的复合结构及传感器

    公开(公告)号:CN114911080A

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN202210454811.3

    申请日:2022-04-27

    摘要: 本发明公开了基于Octonacci光子晶体与石墨烯复合结构及传感器,将单层石墨烯嵌入到Octonacci光子晶体中相邻两电介质薄片的分界面上,形成复合结构,其中字母A和B分别表示两种折射率不同的均匀电介质薄片,字母G表示单层石墨烯;各光子晶体中的字母A、B分别表示两种折射率不同的均匀电介质薄片;光从左边斜入射,入射角用θ表示;符号Ii表示入射光,Ir表示反射光,Io表示透射光;入射光为横磁波;其中,入射光为横磁波,入射角为θ;反射光相对于几何光学预测的位置,存在一定的横向位移。本发明的特点和有益效果在于:利用准光子晶体于石墨烯复合,利用光学分形效应和反射系数相位剧烈的变化,实现大的GH位移,定能得到在多个中心波长附近的高灵敏度波长传感器。

    一种可用于单向光学隐身的多层电介质结构

    公开(公告)号:CN113552733A

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN202110985778.2

    申请日:2021-08-26

    发明人: 倪浩 张巍

    IPC分类号: G02F1/00

    摘要: 本发明提供了一种可用于单向光学隐身的多层电介质结构,属于光学隐身器件技术领域。多层电介质结构包括两个呈宇称‑时间对称分布的Thue‑Morse(图厄‑摩尔斯,T‑M)序列,T‑M序列SN的迭代规则为:S1=A,N=1;S2=AB,N=2;SN=SN‑1(A→AB,B→BA),N≥3,其中SN‑1中的A→AB表示A由AB代替,B→BA表示B由BA代替,N表示序列的序号,SN表示序列的第N项;A为第一电介质层;B为第二电介质层;第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不等的均匀电介质薄片,当某波长值的入射光从一侧入射,通过多层电介质结构反射后的反射光强为零,而该波长的光波从另一侧入射时,反射光强不为零,从而实现该波长值的入射光的单向隐身;改变增益‑损耗因子可实现对隐身波长的调控。

    基于APT对称康托尔光子晶体中奇异点的移相器

    公开(公告)号:CN115494675A

    公开(公告)日:2022-12-20

    申请号:CN202211148058.1

    申请日:2022-09-20

    IPC分类号: G02F1/355 G02F1/35

    摘要: 本发明涉及基于APT对称康托尔光子晶体中奇异点的移相器,包括由两个序号相同的康托尔光子晶体复合而成的中心对称结构,并通过调控各层电介质折射率实部和虚部,使整个中心对称结构满足APT对称性,继而利用APT对称系统的奇异点大小为π的相移效应,通过电介质损耗和入射角来控制电场的相位移动的频率;康托尔光子晶体由若干个电介质薄片A和若干个电介质薄片B按照康托尔序列的第N项即SN=SN‑1(3B)N‑1SN‑1依次排列而成,其中S0=A,N取正整数。本发明所述移相器可实现精确的半波相移,即其能够对信号波的相位进行精确的调整。

    基于石墨烯复合结构的GH位移波长传感器

    公开(公告)号:CN115342732A

    公开(公告)日:2022-11-15

    申请号:CN202210452004.8

    申请日:2022-04-27

    发明人: 沈静 赵东 汪洋 倪浩

    IPC分类号: G01B11/02 G01J9/00

    摘要: 本发明提供了一种基于石墨烯复合结构的GH位移波长传感器,属于光学技术领域。包括一个Cantor序列的光子晶体,Cantor序列的迭代规则为:SN=SN‑1(3B)N‑1SN‑1,N≥2时,而S0=A,S1=ABA,其中N为Cantor序列生成数,且N取正整数,SN为Cantor序列序数,A和B分别为折射率不同的两种电介质薄片,相邻两层电介质薄片之间嵌入有一石墨烯单层;石墨烯嵌入的嵌入用于改善多层结构光学分形态附近的反射率和反射系数相位变化率;在光学分形态附近,支持大于104倍入射波长的GH位移。本发明具有灵敏度高等优点。

    一种基于光学分形的多信道非周期光子晶体结构

    公开(公告)号:CN113534299A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202110985773.X

    申请日:2021-08-26

    发明人: 倪浩 刘芳华

    IPC分类号: G02B1/00 G02F1/01

    摘要: 本发明提供了一种基于光学分形的多信道非周期光子晶体结构,属于多信道光子滤波器技术领域。所述多信道非周期光子晶体结构包括两个对称分布的Thue‑Morse序列,Thue‑Morse序列SN的迭代规则为:S1=A,N=1;S2=AB,N=2;SN=SN‑1(A→AB,B→BA),N≥3,其中SN‑1中的A→AB表示A由AB代替,B→BA表示B由BA代替,N表示序列的序号,SN表示序列的第N项;A为第一电介质层;B为第二电介质层;第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不等的均匀电介质薄片。本发明将宇称‑时间对称性和Thue‑Morse序列光子晶体结合,来实现多信道、可调谐光子滤波器。

    一种工业多端口转接装置

    公开(公告)号:CN112397910A

    公开(公告)日:2021-02-23

    申请号:CN202011370789.1

    申请日:2020-11-30

    IPC分类号: H01R4/48 H01R11/11

    摘要: 本发明提供了一种工业多端口转接装置,属于电气连接技术领域。包括壳体和设置在壳体上的若干转接结构,转接结构包括绝缘芯管、绝缘套管和绝缘安装管,绝缘芯管的外端与绝缘套管固定相连,绝缘芯管与绝缘套管在绝缘安装管的外端处形成一环形的插孔,绝缘安装管的内壁上固定设置有一筒状的导电片,绝缘芯管与导电片之间沿绝缘芯管的轴线方向设置有若干接触组件,接触组件包括若干个周向均匀分布在绝缘芯管上的避让口一和设置在导电片上与避让口一一一对应的接触簧片,接触簧片插设在对应避让口一内,接触簧片自然状态下向导电片的内侧凸起;绝缘套管与绝缘安装管之间连接有一复位弹簧。本发明具有拆装效率高等优点。

    一种可用于结肠病理切片检测的PT对称光子晶体

    公开(公告)号:CN115112568B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202210788999.5

    申请日:2022-07-06

    IPC分类号: G01N21/01 G01N21/41

    摘要: 本发明涉及一种可用于结肠病理切片检测的PT对称光子晶体,其结构可表示为D(AB)NC(B'A')ND,其中N为光子晶体的周期数,A、A'、B和B'为具有不同复折射率的电介质薄片,且A和A'的折射率实部相等、虚部互为相反数,B和B'的折射率实部相等、虚部互为相反数,C为待检测的结肠病理切片,D为三棱柱状电介质入射波导,且其横截面为等腰直角三角形。本发明在检测结肠病理切片的折射率时,能够获得较大的反射率和明显的空间古斯‑汉森位移,提高了反射光和空间古斯‑汉森位移的检测精度,从而提高结肠病理切片折射率的测量准确性。

    一种基于光学分形的多信道非周期光子晶体结构

    公开(公告)号:CN113534299B

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202110985773.X

    申请日:2021-08-26

    发明人: 倪浩 刘芳华

    IPC分类号: G02B1/00 G02F1/01

    摘要: 本发明提供了一种基于光学分形的多信道非周期光子晶体结构,属于多信道光子滤波器技术领域。所述多信道非周期光子晶体结构包括两个对称分布的Thue‑Morse序列,Thue‑Morse序列SN的迭代规则为:S1=A,N=1;S2=AB,N=2;SN=SN‑1(A→AB,B→BA),N≥3,其中SN‑1中的A→AB表示A由AB代替,B→BA表示B由BA代替,N表示序列的序号,SN表示序列的第N项;A为第一电介质层;B为第二电介质层;第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不等的均匀电介质薄片。本发明将宇称‑时间对称性和Thue‑Morse序列光子晶体结合,来实现多信道、可调谐光子滤波器。

    基于APT对称康托尔光子晶体中奇异点的移相器

    公开(公告)号:CN115494675B

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202211148058.1

    申请日:2022-09-20

    IPC分类号: G02F1/355 G02F1/35

    摘要: 本发明涉及基于APT对称康托尔光子晶体中奇异点的移相器,包括由两个序号相同的康托尔光子晶体复合而成的中心对称结构,并通过调控各层电介质折射率实部和虚部,使整个中心对称结构满足APT对称性,继而利用APT对称系统的奇异点大小为π的相移效应,通过电介质损耗和入射角来控制电场的相位移动的频率;康托尔光子晶体由若干个电介质薄片A和若干个电介质薄片B按照康托尔序列的第N项即SN=SN‑1(3B)N‑1SN‑1依次排列而成,其中S0=A,N取正整数。本发明所述移相器可实现精确的半波相移,即其能够对信号波的相位进行精确的调整。

    一种在玻璃基板表面制备导电线路的方法

    公开(公告)号:CN116043199A

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202211164698.1

    申请日:2022-09-23

    IPC分类号: C23C18/18 C23C18/38

    摘要: 本发明涉及一种在玻璃基板表面制备导电线路的方法,包括以下步骤:1)以金属盐和NaH2PO2为原材料,配置得到具有催化活性的金属元素混合溶液;2)将金属元素混合溶液预置在一表面洁净玻璃基板的表面,并干燥;3)将玻璃基板表面覆盖有金属元素薄膜的一侧朝下,并与一表面光滑且洁净的铜板表面紧密叠合在一起后,将其置于激光加工台面上,依照所设定的电子线路图案,使用激光对玻璃与铜板叠合处进行加工处理;4)将玻璃基板清洗干净;5)将玻璃基板置于化学镀液中沉积金属层,即完成导电线路在玻璃基板表面的制备。本发明所述制备方法不仅制备工艺简单,而且能够在玻璃基板表面获得结合强度较高的金属镀层。