基于开关电容的强PUF电路结构

    公开(公告)号:CN107292200A

    公开(公告)日:2017-10-24

    申请号:CN201710301045.6

    申请日:2017-05-02

    CPC classification number: G06F21/76 G06F21/73 H04L9/0866 H04L9/0869 H04L9/3278

    Abstract: 本发明涉及集成电路设计与信息安全领域,公开了一种基于开关电容的强PUF电路结构,包括开关电容阵列电路、偏差比较电路及存储电路,开关电容阵列电路对芯片中的采样电容的制造偏差进行采样并转换成电压差,在多路开关的控制下将N个采样电容并联叠加,再分别与分压电容进行串联分压采样,从而得到偏差电压,通过偏差比较电路用进行比较,转换为0/1的数字响应,并保存到存储电路中。本发明通过开关电容阵列电路可产生2N个CRPs,避免因PUF中少量的CRP泄露而导致密钥被破解。

    基于开关电容的强PUF电路结构

    公开(公告)号:CN107292200B

    公开(公告)日:2018-07-10

    申请号:CN201710301045.6

    申请日:2017-05-02

    Abstract: 本发明涉及集成电路设计与信息安全领域,公开了一种基于开关电容的强PUF电路结构,包括开关电容阵列电路、偏差比较电路及存储电路,开关电容阵列电路对芯片中的采样电容的制造偏差进行采样并转换成电压差,在多路开关的控制下将N个采样电容并联叠加,再分别与分压电容进行串联分压采样,从而得到偏差电压,通过偏差比较电路用进行比较,转换为0/1的数字响应,并保存到存储电路中。本发明通过开关电容阵列电路可产生2N个CRPs,避免因PUF中少量的CRP泄露而导致密钥被破解。

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