公开(公告)号：CN116814093A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310763876.0

申请日：2023-06-27

Applicant: 湖北大学

Inventor： 姚佳 ,  吴子昂 ,  范玉舟 ,  夏超 ,  王浩 ,  万厚钊

IPC: C09C1/00 ,  H01M4/48 ,  H01M10/36 ,  C09C3/08

Abstract: 本发明公开了一种硫脲改性V6O13材料及其制备方法和在锌离子电池中的应用，涉及储能装置技术领域。本发明使用硫脲改性制备了氨基插入的V6O13(N)纳米材料，研究发现，硫脲改性通过将硫脲化合物与电极材料表面发生反应，引入N元素到材料中，不改变材料晶体结构的情况下极大地改善了材料的导电性与结构稳定性。本发明氨基引入V6O13(N)纳米材料具有非常优秀的稳定性，特别是V6O13(N‑50)材料在电流密度为10Ag‑1下4500次循环充放电几乎没有容量衰减，与极佳的倍率特性：从电流密度0.1Ag‑1到10Ag‑1容量保持率48.9％。硫脲改性在V6O13纳米材料引入N元素优化电子结构提高电导率，同时可以提升材料结构在锌离子嵌入脱出过程中的稳定性，抑制钒溶解引发的结构崩塌。

公开(公告)号：CN115915775A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202310002675.9

申请日：2023-01-03

Applicant: 湖北大学 ,  湖北江城实验室

Inventor： 陶野 ,  万厚钊 ,  胡婷 ,  范玉舟 ,  汪涵斌 ,  张军 ,  沈谅平 ,  王浩

IPC: H10K10/50 ,  H10K10/82 ,  H10K10/80 ,  H10K85/60 ,  C08G83/00

Abstract: 发明公开了一种基于共价有机框架薄膜的忆阻器，其结构从下至上为：衬底、导电底电极、共价有机框架薄膜、有机聚合物薄膜和导电顶电极。忆阻器制备包括以下步骤：在0‑80℃下，将特定的芳香二醛混合溶液和芳香多胺混合溶液混合，滴加在所需导电底电极上或直接将带有导电底电极的衬底浸于混合溶液中，即可在底电极上得到均匀的共价有机框架薄膜用于忆阻器。之后制备聚合物胶体溶液，将其旋涂于共价有机框架薄膜表面，最后使用掩膜版采用热蒸镀或溅射制备顶电极。本发明首次提出一种新型忆阻器的制备方法，该制备方法过程简单，价格经济，无需高精度的精密仪器，在无需复杂环境的条件下即可在衬底上原位生长制备大面积的共价有机框架(COF)薄膜。