-
-
公开(公告)号：CN108539012A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810168523.5
申请日：2018-02-28
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种全无机钙钛矿阻变存储器及其制备方法。所述存储器结构从下至上依次为底电极、阻变层和顶电极。ITO作为底电极，CsPbBr3薄膜作为阻变层，用金属Pt、或Au、或W作为顶电极。制备步骤为将CsPbBr3粉末溶解在DMSO溶液中配制前驱液，用旋涂仪将前驱液旋涂在ITO底电极上，再滴加甲苯作反溶剂，使钙钛矿层快速结晶，并在100～150℃条件下退火10～30min，获得致密的CsPbBr3多晶薄膜。再在CsPbBr3薄膜表面沉积顶电极。该存储器的阻变层由全无机材料制得，制备工艺简单，成本低，通过改变加热温度和加热时间，器件表现出优异的阻变特性及空气热稳定性。
-
公开(公告)号：CN108198814A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810166532.0
申请日：2018-02-28
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种光探测与电致发光双功能集成器件，包括底电极、设置在所述底电极上表面的n型半导体层、设置在所述n型半导体层上表面的i型中间层、设置在所述i型中间层上表面的p型半导体层和设置在所述p型半导体层上表面的顶电极，其中，所述n型半导体层由ZnO微米球形成，所述i型中间层由CsPbBr3形成，所述p型半导体层为Mg掺杂的GaN基片。本发明提供的双功能集成器件实现了高响应度的紫外探测和超纯的绿光发射。本发明利用发光和探测的活性层分离，首次获得了电致发光区域和光响应波段不同的双功能集成器件，有效的避免了发光和探测性能的相互削减，具有巨大的应用潜力。
-
-
公开(公告)号：CN108511564A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810166990.4
申请日：2018-02-28
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN/CsPbBr3异质结的光响应型LED及其制备方法，它是由蓝宝石氮化镓基片、全无机钙钛矿CsPbBr3薄膜、铟电极、碳电极组成，是一种In/GaN/CsPbBr3/C结构，其制备方法为选取蓝宝石GaN基片并清洗，制备In底电极，反溶剂辅助生成全无机钙钛矿CsPbBr3多晶薄膜，制备碳顶电极，完成后，即为制作成的一个完整LED器件。在无外加偏压时，是实现波长范围在350nm～550nm的光探测；在正向偏压下，能够发射出峰值位于525nm的绿光。本发明工艺简单，成本低，双功能效果好。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111952383B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010557416.9
申请日：2020-06-18
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明提出了一种CsPbBr3‑CsPb2Br5混合钙钛矿薄膜的自驱动可见光光电探测器。器件的结构为透明导电玻璃/氧化锡电子传输层/CsPbBr3‑CsPb2Br5混合钙钛矿薄膜/碳电极，其中混合钙钛矿薄膜是使用CsPb2Br5钙钛矿前驱体配合多次旋涂CsBr并退火的旋涂法制备的。该器件具有较好的自驱动特性和很好的水氧稳定性。本发明避免了传统一步法制备CsPbBr3薄膜所导致的多针孔缺陷，极大的提高了器件的性能和稳定性。用其制备的光电探测器性能稳定，制作周期短，具有高的响应度和探测灵敏度。该器件制作工艺简单、成本低廉，适用于大批量大面积产业化生产。同时其自驱动特性有利于节约能源。
-
公开(公告)号：CN111952383A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010557416.9
申请日：2020-06-18
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明提出了一种CsPbBr3-CsPb2Br5混合钙钛矿薄膜的自驱动可见光光电探测器。器件的结构为透明导电玻璃/氧化锡电子传输层/CsPbBr3-CsPb2Br5混合钙钛矿薄膜/碳电极，其中混合钙钛矿薄膜是使用CsPb2Br5钙钛矿前驱体配合多次旋涂CsBr并退火的旋涂法制备的。该器件具有较好的自驱动特性和很好的水氧稳定性。本发明避免了传统一步法制备CsPbBr3薄膜所导致的多针孔缺陷，极大的提高了器件的性能和稳定性。用其制备的光电探测器性能稳定，制作周期短，具有高的响应度和探测灵敏度。该器件制作工艺简单、成本低廉，适用于大批量大面积产业化生产。同时其自驱动特性有利于节约能源。
-
公开(公告)号：CN108539012B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201810168523.5
申请日：2018-02-28
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种全无机钙钛矿阻变存储器及其制备方法。所述存储器结构从下至上依次为底电极、阻变层和顶电极。ITO作为底电极，CsPbBr3薄膜作为阻变层，用金属Pt、或Au、或W作为顶电极。制备步骤为将CsPbBr3粉末溶解在DMSO溶液中配制前驱液，用旋涂仪将前驱液旋涂在ITO底电极上，再滴加甲苯作反溶剂，使钙钛矿层快速结晶，并在100～150℃条件下退火10～30min，获得致密的CsPbBr3多晶薄膜。再在CsPbBr3薄膜表面沉积顶电极。该存储器的阻变层由全无机材料制得，制备工艺简单，成本低，通过改变加热温度和加热时间，器件表现出优异的阻变特性及空气热稳定性。
-
公开(公告)号：CN108198814B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201810166532.0
申请日：2018-02-28
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种光探测与电致发光双功能集成器件，包括底电极、设置在所述底电极上表面的n型半导体层、设置在所述n型半导体层上表面的i型中间层、设置在所述i型中间层上表面的p型半导体层和设置在所述p型半导体层上表面的顶电极，其中，所述n型半导体层由ZnO微米球形成，所述i型中间层由CsPbBr3形成，所述p型半导体层为Mg掺杂的GaN基片。本发明提供的双功能集成器件实现了高响应度的紫外探测和超纯的绿光发射。本发明利用发光和探测的活性层分离，首次获得了电致发光区域和光响应波段不同的双功能集成器件，有效的避免了发光和探测性能的相互削减，具有巨大的应用潜力。
-
公开(公告)号：CN208045499U
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201820288057.X
申请日：2018-02-28
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本实用新型提供了一种光探测与电致发光双功能集成器件，包括底电极、设置在所述底电极上表面的n型半导体层、设置在所述n型半导体层上表面的i型中间层、设置在所述i型中间层上表面的p型半导体层和设置在所述p型半导体层上表面的顶电极，其中，所述n型半导体层由ZnO微米球形成，所述i型中间层由CsPbBr3形成，所述p型半导体层为Mg掺杂的GaN基片。本实用新型提供的双功能集成器件实现了高响应度的紫外探测和超纯的绿光发射。本实用新型利用发光和探测的活性层分离，首次获得了电致发光区域和光响应波段不同的双功能集成器件，有效的避免了发光和探测性能的相互削减，具有巨大的应用潜力。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.015 seconds)
