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公开(公告)号：CN112993063A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110121320.2
申请日：2021-01-28
申请人： 湖北光安伦芯片有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L33/40 , H01L33/00
摘要： 本发明涉及一种光通信芯片欧姆接触电极的制作方法，包括如下步骤：在光通信芯片P面制作依次为Ti/Pt/Au单质金属的叠层欧姆接触电极；对上述P面Ti/Pt/Au欧姆接触电极进行P面合金化退火，P面合金化退火温度为T1；在光通信芯片N面制作依次为Ti/Pt/Au单质金属的叠层欧姆接触电极；对上述N面Ti/Pt/Au欧姆接触电极进行N面合金化退火，N面合金化退火温度为T2；上述P面合金化退火温度T1高于上述N面合金化退火温度T2。采用本发明的欧姆接触电极制作工艺可以得到工艺稳定、接触电阻低的欧姆接触电极，且匹配了解理切割工艺，最终获得了性能稳定、芯片外观优良、成品率高的光通信芯片。
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公开(公告)号：CN110808533B
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN201910973107.7
申请日：2019-10-14
申请人： 湖北光安伦芯片有限公司
摘要： 本发明涉及一种高速DFB芯片中含铝材料的高温ICP刻蚀方法，其包括以下步骤：(1)对已含有光栅图形并且经过金属有机化学气相外延掩埋生长的片源进行表面清洗；(2)将经过表面清洗后的片源放入PECVD中生长掩膜层；(3)对有掩膜层的片源在光刻间匀胶后进行脊图形光刻；(4)利用反应离子刻蚀设备(RIE)将经过曝光、显影后的光刻胶图形转移到掩膜层上；(5)去除RIE刻蚀后片源表面的光刻胶；(6)将含有掩膜层图形的片源放入已升温至预定温度的ICP刻蚀机台中干法刻蚀。本发明提供的高温ICP刻蚀含铝材料的方法，刻蚀后表面聚合物少，且刻蚀形貌光滑无凸起，解决了含铝材料在刻蚀过程中，刻蚀速率慢，刻蚀形貌难以控制的问题，从而确保BH结构高速激光器芯片的PN掩埋工艺正常。
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公开(公告)号：CN112993063B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110121320.2
申请日：2021-01-28
申请人： 湖北光安伦芯片有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L33/40 , H01L33/00
摘要： 本发明涉及一种光通信芯片欧姆接触电极的制作方法，包括如下步骤：在光通信芯片P面制作依次为Ti/Pt/Au单质金属的叠层欧姆接触电极；对上述P面Ti/Pt/Au欧姆接触电极进行P面合金化退火，P面合金化退火温度为T1；在光通信芯片N面制作依次为Ti/Pt/Au单质金属的叠层欧姆接触电极；对上述N面Ti/Pt/Au欧姆接触电极进行N面合金化退火，N面合金化退火温度为T2；上述P面合金化退火温度T1高于上述N面合金化退火温度T2。采用本发明的欧姆接触电极制作工艺可以得到工艺稳定、接触电阻低的欧姆接触电极，且匹配了解理切割工艺，最终获得了性能稳定、芯片外观优良、成品率高的光通信芯片。
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公开(公告)号：CN112909106A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110043754.5
申请日：2021-01-13
申请人： 湖北光安伦芯片有限公司
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/101 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种衬底背面微透镜的制作方法，包括S1，在InP基衬底的背面制作具有透镜形貌的光刻胶胶型；S2，对光刻胶进行烘烤得到预设曲率半径的透镜胶型；S3，采用ICP技术刻蚀出符合预设拱高的微透镜胶型，并将微透镜胶型转移至InP基衬底上；S4，待刻蚀并转移完成后，采用碱性溶液浸泡后清洗干燥。一种光电探测器的制备方法，包括上述的衬底背面微透镜的制作方法制备出的InP基衬底背面微透镜。一种光电探测器，包括上述的衬底背面微透镜的制作方法制备出的InP基衬底背面微透镜。本发明通过引入微透镜工艺，将InP基衬底的光入射方式由正入射改变为背入射，减小了光敏面的面积，大大提高了其等效光敏面的直径，增大耦合效率，减小结电容，提高了工作效率。
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公开(公告)号：CN216376428U
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202122621829.1
申请日：2021-10-29
申请人： 湖北光安伦芯片有限公司
摘要： 本实用新型涉及半导体芯片加工技术领域，尤其涉及一种晶圆取放及转运装置；该装置包括转运载盘及取放托盘，其中转运载盘包括限位槽、矩形槽、防滑机构及透气孔，转运载盘上设有用于对晶圆限位的限位槽，且限位槽内设有矩形槽，用于取放托盘取放晶圆，转运载盘上还设有防滑机构及透气孔；取放托盘包括取放衬板、晶圆围框及手柄，取放衬板、晶圆围框及手柄三者均固定连接，取放衬板上设有契型凸台且带斜切面，晶圆围框与手柄螺纹连接固定。本实用新型提供的晶圆取放及转运装置安全性能好、定位牢固、更换便捷、可以长期反复使用且能防止晶圆转运及传递时发生漂移；解决了晶圆在半自动工艺测量设备转运过程中对于芯片表面的损伤问题。
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公开(公告)号：CN215896359U
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202120081602.X
申请日：2021-01-13
申请人： 湖北光安伦芯片有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/677
摘要： 本实用新型属于半导体芯片加工技术领域，具体提供了一种晶圆对位传递承载装置，其包括晶圆固定底座，所述晶圆固定底座上开设有圆形凹槽；所述圆形凹槽内设置有晶圆固定柱，所述晶圆固定柱上下滑动连接在所述晶圆固定底座上；所述圆形凹槽下端设置有真空衬板，所述真空衬板固定连接在所述晶圆固定底座上；所述晶圆固定柱、真空衬板、晶圆固定底座在所述圆形凹槽处合围形成密闭腔室；所述真空衬板中间设置有真空气孔Ⅰ，所述真空气孔Ⅰ与密闭腔室相通。可以实现不规则晶圆在工艺设备中的快速自动化作业，具有安全性能好、定位牢固、取放晶圆载盘便捷等优势，减少了因破片导致晶圆形状不规则而产生的报废。
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公开(公告)号：CN210866134U
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201921606032.0
申请日：2019-09-25
申请人： 湖北光安伦芯片有限公司
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/687
摘要： 本实用新型属于半导体芯片加工技术领域，具体提供了一种晶圆载盘承载装置，包括底座、晶圆载盘承载台以及高度可调节的支撑组件，晶圆载盘承载台固定在支撑组件的上端，支撑组件的下端可转动地支撑在底座上，晶圆载盘承载台上设有用于对晶圆载盘水平方向限位的限位装置。通过晶圆载盘承载台、支撑组件，可以快速实现晶圆载盘的旋转和高度调节，使员工作业时从晶圆载盘进行取、放晶圆更加方便快捷。该装置具有安全性能好、定位牢固、取放晶圆载盘便捷、可以长期反复使用，能防止作业员从晶圆载盘取、放晶圆不便时造成晶圆破裂；且采用晶圆载盘承载装置，解决了传统方法将晶圆载盘直接放置在工作台面上时不牢固、晶圆载盘易变形以及易被污染的问题。
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