本发明涉及一种衬底背面微透镜的制作方法，包括S1，在InP基衬底的背面制作具有透镜形貌的光刻胶胶型；S2，对光刻胶进行烘烤得到预设曲率半径的透镜胶型；S3，采用ICP技术刻蚀出符合预设拱高的微透镜胶型，并将微透镜胶型转移至InP基衬底上；S4，待刻蚀并转移完成后，采用碱性溶液浸泡后清洗干燥。一种光电探测器的制备方法，包括上述的衬底背面微透镜的制作方法制备出的InP基衬底背面微透镜。一种光电探测器，包括上述的衬底背面微透镜的制作方法制备出的InP基衬底背面微透镜。本发明通过引入微透镜工艺，将InP基衬底的光入射方式由正入射改变为背入射，减小了光敏面的面积，大大提高了其等效光敏面的直径，增大耦合效率，减小结电容，提高了工作效率。