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公开(公告)号：CN101706494A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910237144.8
申请日：2009-11-11
申请人： 清华大学 , 北京城市排水集团有限责任公司科技研发中心
IPC分类号： G01N33/18
摘要： 本发明公开了属于水环境保护技术领域的一种水体水华爆发潜力判定和预警的方法。将在线溶解氧监测设备安装在水体中，获得水体中溶解氧的实时值，溶解氧值用DO值表示，并根据ΔDO值判定水体中水华爆发潜力并进行预警，其中，ΔDO值为连续24小时内水体DO值最大值和最小值之差，水华爆发潜力随着ΔDO值的增大而增大。本方法简便快捷，利用在线溶解氧仪在线测量，替代藻类计数、叶绿素测定等繁琐、耗时、昂贵的方法，具有非常高的测量频率和速度；通过对ΔDO值指标的分析，有效地反映了水体内藻类整体的生长状况，而非正对某一种特定的藻类进行反映；实时性强、预见性强。
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公开(公告)号：CN113916125B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110891647.8
申请日：2021-08-04
申请人： 清华大学 , 泸州老窖股份有限公司
IPC分类号： G01B11/00
摘要： 本发明提供一种基于深度成像的酒糟体积测量方法，其包括以下步骤：S1，提供一容器，该容器具有一内底面；S2，利用一深度相机采集所述内底面的形貌，得到一第一数据点云图；S3，将一酒糟设置于所述容器内，该酒糟形成一酒糟堆；S4，利用所述深度相机采集所述酒糟的表面形貌，得到一第二数据点云图；以及S5，根据所述第一数据点云图和所述第二数据点云图中的点云数据进行数据处理，并建立模型，计算出所述酒糟的体积。所述基于深度成像的酒糟体积测量方法具有精度高、无接触且不受工作环境影响等优势，适合在酒糟转移及拌料的过程中使用。
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公开(公告)号：CN106969990A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710138605.0
申请日：2017-03-09
申请人： 清华大学深圳研究生院 , 中国电力科学研究院 , 国家电网公司 , 国网河北省电力公司
IPC分类号： G01N3/30
摘要： 本发明公开了一种绝缘材料防鸟啄能力测试装置及测试方法，该装置包括冲击头、冲锤、冲锤高度调节装置以及试样平台，所述试样平台用于放置待测的绝缘材料试样，所述冲击头以可在预定范围内上下活动的方式设置在所述试样平台的上方，所述冲击头具有朝下的尖锐端，所述冲锤设置在所述冲锤高度调节装置上，以使所述冲锤相对于所述冲击头和所述试样平台的初始高度可调，所述冲锤从所述初始高度下落，撞击到所述冲击头上时，所述冲击头的尖锐端冲击所述试样平台上的绝缘材料试样，以模拟鸟啄。采用本发明，能够简便、准确、可靠地测试出绝缘材料的防鸟啄能力。
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公开(公告)号：CN104198058B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410381788.5
申请日：2014-08-05
申请人： 清华大学
IPC分类号： G01J11/00
摘要： 本发明涉及单光子雪崩二极管的淬灭和读出电路，该电路有两种实现形式，均包括一个单光子雪崩二极管和三个NMOS管。其中，第一实施例的单光子雪崩二极管的淬灭和读出电路可以包括：第一单光子雪崩二极管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管，其中，第一单光子雪崩二极管的阴极接正高压偏置电源，第一单光子雪崩二极管的阳极接第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的漏极，第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极均与地相连，第二NMOS管的栅极接脉冲信号，第三NMOS管的源极与第一NMOS管的漏极相连，第三NMOS管的栅极接译码信号，第三NMOS管漏极与位线相连。本发明的淬灭和读出电路具有电路结构简单、有利于系统集成、淬灭电路响应速度快、检测精度高、灵活可调、稳定可靠等优点。
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公开(公告)号：CN104801345A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510145001.X
申请日：2015-03-31
申请人： 新疆兵团现代绿色氯碱化工工程研究中心(有限公司) , 新疆天业(集团)有限公司 , 清华大学
摘要： 本发明公开了一种用于乙炔氢氯化法生产氯乙烯的负载型无汞催化剂，该催化剂以活性炭为基础载体，用高稳定性的刚性平面结构三嗪类有机化合物预处理载体使载体的表面及孔道面铺上一层刚性的平面物质，减少了载体在制备及使用的过程中的粉末化，后在预处理的载体上负载主活性组分金与助活性组分，形成稳定的金属配合物，降低了活性炭对活性组分金的还原，提高了活性组分在预处理载体上的分散度。在制备氯乙烯的反应中，用三嗪类配合物预处理载体的催化剂的稳定性明显优于未处理的载体催化剂，且在金含量很低（0.05%）时，仍然有很高的稳定性，是一种成本低、活性高、稳定性好的无汞贵金属催化剂。
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公开(公告)号：CN104198058A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410381788.5
申请日：2014-08-05
申请人： 清华大学
IPC分类号： G01J11/00
摘要： 本发明涉及单光子雪崩二极管的淬灭和读出电路，该电路有两种实现形式，均包括一个单光子雪崩二极管和三个NMOS管。其中，第一实施例的单光子雪崩二极管的淬灭和读出电路可以包括：第一单光子雪崩二极管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管，其中，第一单光子雪崩二极管的阴极接正高压偏置电源，第一单光子雪崩二极管的阳极接第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的漏极，第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极均与地相连，第二NMOS管的栅极接脉冲信号，第三NMOS管的源极与第一NMOS管的漏极相连，第三NMOS管的栅极接译码信号，第三NMOS管漏极与位线相连。本发明的淬灭和读出电路具有电路结构简单、有利于系统集成、淬灭电路响应速度快、检测精度高、灵活可调、稳定可靠等优点。
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公开(公告)号：CN101508623B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910080099.X
申请日：2009-03-19
申请人： 清华大学 , 新疆天业(集团)有限公司
IPC分类号： C07C11/24
摘要： 本发明属于化工设备领域一种涉及遮流构件的等离子体煤裂解反应装置，该装置包括：等离子体炬阳极，等离子体炬阴极，等离子体炬阴阳极交汇区，等离子体炬阳极工作气体入口和等离子体炬阴极工作气体入口；混合区和煤粉喷射管；反应区，反应区壁面和反应区原料气喷射管；急冷区，急冷介质喷射管和急冷区出口，并在混合区、反应区或急冷区内设置遮流构件。本发明在高温、高流速的反应装置内设置遮流构件，改变流体的空间分布，加大注入物料的入射深度，增强反应物之间的接触和混合效率，进而达到提高煤裂解装置煤转化和热转化能力的目的。
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公开(公告)号：CN102515819A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110387144.3
申请日：2011-11-29
申请人： 清华大学
IPC分类号： C04B38/00
摘要： 本发明公开了一种多孔二氧化锆陶瓷的制备方法。该方法包括如下步骤：(1)将水、单体化合物和交联剂进行混合得到预混液；(2)向所述预混液中加入氧氯化锆和缓释剂得到澄清溶液；(3)向所述澄清溶液中加入加入催化剂和引发剂注入模具中进行聚合反应得到凝胶；(4)所述凝胶依次经干燥、排胶和烧结即得所述多孔二氧化锆陶瓷。本发明采用改进的高分子网络凝胶法制备高气孔率、纳米至亚微米气孔尺寸、多孔二氧化锆陶瓷材料，采用有机高分子聚合物构建三维网络的方式提供模板和支撑构架，使纳米陶瓷晶粒原位合成并使之构建成孔壁，然后在逐步缓释应力的情况下使有机网络逐步缩小并消失，最终形成具有高气孔率、纳米至亚微米孔径的多孔二氧化锆陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN101508622A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910080098.5
申请日：2009-03-19
申请人： 清华大学 , 新疆天业(集团)有限公司
IPC分类号： C07C11/24
摘要： 本发明公开了属于工业气固两相高效快速混合、反应技术领域的一种应用于等离子体煤裂解制乙炔反应器的煤粉入口结构。入口结构煤粉喷嘴的出口横截面为宽扁形，煤粉喷嘴出口横截面的长轴与反应器通道的横截面具有交角α，煤粉喷嘴在反应器通道内壁呈中心对称分布，煤粉喷嘴所在的反应器通道内壁横截面的圆周面与煤粉喷嘴中心线交点处的切线，与煤粉喷嘴中心线成β角；煤粉喷嘴中心线与反应器通道的横截面具有交角γ。本发明提供了一种应用于等离子体煤裂解制乙炔反应器的煤粉入口结构，该结构能够使通过煤粉喷嘴射出的煤粉与高温等离子体射流良好混合，能够有效地提高乙炔收率，并缓解反应器结焦现象。
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公开(公告)号：CN118125373B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410544011.X
申请日：2024-05-06
申请人： 港华能源创科(深圳)有限公司 , 清华大学深圳国际研究生院 , 卓度计量技术(深圳)有限公司 , 深圳市汇北川电子技术有限公司
摘要： 本申请公开了一种氢气传感器的制备方法及氢气传感器，方法包括：提供第一衬底；在第一衬底上镀黏附层和金属牺牲层；在金属牺牲层上形成金属层，金属层形成有环境电阻和加热电阻；在金属层上涂覆第一光刻胶，并坚膜形成支撑膜层，第一光刻胶为SU‑8光刻胶；在支撑膜层上涂覆第一光刻胶，并采用光刻技术形成支撑柱层；提供第二衬底；在第二衬底上涂覆粘合剂，并粘合第二衬底和支撑柱层，得到传感器模型；将传感器模型放置于刻蚀液中，使第一衬底脱离金属层。本申请有利于在简化氢气传感器的生产工艺的同时，提高成品的良品率。
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