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公开(公告)号：CN1389415A
公开(公告)日：2003-01-08
申请号：CN02124131.7
申请日：2002-07-12
Applicant: 清华大学
CPC classification number: C03C4/14 , C03C10/0054
Abstract: 一种高频片式电感用微晶玻璃陶瓷的配方及其制备方法,属于陶瓷材料领域。是由CaO、B2O3、SiO2、ZnO、P2O5五种成分组成,各成分的配比为:CaO 25－60wt%B2O310－50wt%SiO210－60wt%ZnO 1－10wt%P2O51－5wt%。本发明微晶玻璃陶瓷材料制得微晶玻璃陶瓷有低的介电常数低(ε=4.9－5.5,1MHz),且烧结温度较低(750～850℃)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1189410C
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN02124131.7
申请日：2002-07-12
Applicant: 清华大学
CPC classification number: C03C4/14 , C03C10/0054
Abstract: 一种高频片式电感用微晶玻璃陶瓷的配方及其制备方法，属于陶瓷材料领域。是由CaO、B2O3、SiO2、ZnO、P2O5五种成分组成，各成分的配比为：CaO 25-60wt% B2O310-50wt%SiO210-60wt% ZnO 1-10wt% P2O51-5wt%。本发明微晶玻璃陶瓷材料制得微晶玻璃陶瓷有低的介电常数低(ε＝4.9-5.5，1MHz)，且烧结温度较低(750～850℃)。
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公开(公告)号：CN1120811C
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN01102210.8
申请日：2001-01-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种多层电感器用硅酸锌基玻璃/陶瓷介质材料的制备方法，首先合成低熔点的硼硅玻璃，然后合成硅酸锌晶体，最后以上述制备的硼硅酸盐玻璃、硅酸锌为原料，湿法球磨后干压成圆片状，再烧成得硅酸锌基玻璃/陶瓷介质材料。利用本发明的方法制备的材料，具有紧密的晶相和玻璃相结构，故材料的介电损耗较小，而且具有良好的热稳定性和抗折强度。
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公开(公告)号：CN1120812C
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN01102209.4
申请日：2001-01-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种多层电感器用堇青石基微晶玻璃陶瓷介质材料的制备方法，首先将原料MgO、Al2O3、SiO2、B2O3和P2O5混合，在上述混合料中加入乙醇，湿法混合后干燥，熔制玻璃，将玻璃淬冷后得到透明的玻璃体，湿法球磨后压成小圆片，烧成即得到本发明的材料。本发明的优点是：采用了B2O3-P2O5-MgO-Al2O3-SiO2系统，以及堇青石微晶玻璃工艺制造高频多层片式电感的介质材料，尤其是该材料能在低于1000℃温度下与Au，Ag/Pd，Cu电极共烧并烧结成瓷达到低介电常数和低介电损耗的要求。
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公开(公告)号：CN1304894A
公开(公告)日：2001-07-25
申请号：CN01102209.4
申请日：2001-01-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种多层电感器用堇青石基微晶玻璃陶瓷介质材料的制备方法,首先将原料MgO、Al2O3、SiO2、B2O3和P2O5混合,在上述混合料中加入乙醇,湿法混合后干燥,熔制玻璃,将玻璃淬冷后得到透明的玻璃体,湿法球磨后压成小圆片,烧成即得到本发明的材料。本发明的优点是:采用了B2O3－P2O5－MgO－Al2O3－SiO2系统,以及堇青石微晶玻璃工艺制造高频多层片式电感的介质材料,尤其是该材料能在低于1000℃温度下与Au,Ag/Pd,Cu电极共烧并烧结成瓷达到低介电常数和低介电损耗的要求。
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公开(公告)号：CN1304893A
公开(公告)日：2001-07-25
申请号：CN01102210.8
申请日：2001-01-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种多层电感器用硅酸锌基玻璃/陶瓷介质材料的制备方法,首先合成低熔点的硼硅玻璃,然后合成硅酸锌晶体,最后以上述制备的硼硅酸盐玻璃、硅酸锌为原料,湿法球磨后干压成圆片状,再烧成得硅酸锌基玻璃/陶瓷介质材料。利用本发明的方法制备的材料,具有紧密的晶相和玻璃相结构,故材料的介电损耗较小,而且具有良好的热稳定性和抗折强度。
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