公开(公告)号：CN102211935A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201010143884.8

申请日：2010-04-07

Applicant: 清华大学

Inventor： 赵建立 ,  汪长安 ,  黄勇 ,  白春丽 ,  白周义

IPC: C04B35/515 ,  C04B35/626 ,  B09B3/00

Abstract: 本发明公开了一种铝硅碳粉体的制备方法。该方法包括下述步骤：1)称量下述质量百分比的原料：刚玉砖49～60％，硅砖14～18％和炭块26％-33％，将所述原料混合，得混合料，2)将所述混合料在1大气压CO保护性气氛中，于2300～2800℃加热4～6小时，冷却后，除去产物表面杂质层，即得到铝硅碳粉体。本发明的方法以废旧耐火材料为原料，既降低了生产成本同时又实现了资源的循环利用；且该方法简便易行、所得产品的产率、纯度均较高，适于规模化生产。

公开(公告)号：CN102211937B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201010143590.5

申请日：2010-04-07

Applicant: 清华大学

Inventor： 赵建立 ,  汪长安 ,  黄勇 ,  白春丽 ,  白周义

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明公开了一种铝硅碳超细粉体的制备方法。该方法包括下述步骤：1)称量下述质量百分比的原料：高岭石20～30％，Al2O3原料40～50％和炭原料20～30％，将所述原料搅拌混合，得混合料；2)将所述混合料在真空或氩气气氛中，于1600-1700℃加热并保温8-10小时，冷却后，除去产物表面的杂质层，即得到铝硅碳超细粉体。本发明所制备的铝硅碳超细粉体的平均粒度为2～5μm，Al4SiC4质量百分含量大于99％。该铝硅碳超细粉体可直接用作陶瓷制品基质组分；不需要先合成块体铝硅碳材料，再将块体破碎成超细粉，从而节约了能源。且本发明的方法简便易行、效率高，所得产品的产率、纯度均较高。

公开(公告)号：CN102211936B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201010144342.2

申请日：2010-04-08

Applicant: 清华大学

Inventor： 赵建立 ,  汪长安 ,  黄勇 ,  白春丽 ,  白周义

IPC: C04B35/515 ,  C04B35/622 ,  C04B35/653

Abstract: 本发明公开了一种铝硅碳块体的制备方法。该方法包括下述步骤：按照下述质量百分比称取原料：Al2O3原料45-60％、SiO2原料10％-20％、碳原料3040％和SiC原料1-4％，将所述原料按照从下到上的顺序组装为一层原料组：Al2O3原料-碳原料-SiC原料-SiO2原料，再将所述原料组层层叠加置于电弧炉的炉膛中；2)然后于空气氛中，在电弧炉内进行熔炼，将熔炼得到的产物冷却后，除去产物表面的杂质层，即得到铝硅碳片块体；所述熔炼的温度为3000-3500℃，所述熔炼的时间为5-8小时。本发明的方法简便易行、成产成本低，所得产品的产率、纯度均较高，适于规模化生产。

公开(公告)号：CN102211936A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201010144342.2

申请日：2010-04-08

Applicant: 清华大学

Inventor： 赵建立 ,  汪长安 ,  黄勇 ,  白春丽 ,  白周义

IPC: C04B35/515 ,  C04B35/622 ,  C04B35/653

Abstract: 本发明公开了一种铝硅碳块体的制备方法。该方法包括下述步骤：按照下述质量百分比称取原料：Al2O3原料45%-60％、SiO2原料10％-20％、碳原料30%-40％和SiC原料1%-4％，将所述原料按照从下到上的顺序组装为一层原料组：Al2O3原料-碳原料-SiC原料-SiO2原料，再将所述原料组层层叠加置于电弧炉的炉膛中；然后于空气氛中，在电弧炉内进行熔炼，将熔炼得到的产物冷却后，除去产物表面的杂质层，即得到铝硅碳片块体；所述熔炼的温度为3000-3500℃，所述熔炼的时间为5-8小时。本发明的方法简便易行、成产成本低，所得产品的产率、纯度均较高，适于规模化生产。

公开(公告)号：CN102211934A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201010143874.4

申请日：2010-04-07

Applicant: 清华大学

Inventor： 赵建立 ,  汪长安 ,  黄勇 ,  白春丽 ,  白周义

IPC: C04B35/515 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明公开了一种铝硅碳片状粉体的制备方法。该方法包括下述步骤：1)按照下述质量百分比称取原料：Al2O3原料45-60％、SiO2原料10％20％、碳原料25-40％和SiC原料14％，将所述原料混合，得混合料；2)将所述混合料在CO和Ar混合气氛中，于1900-2200℃加热2-5小时，冷却后，除去产物表面的杂质层，即得到铝硅碳片状粉体；所述混合气氛的总压力为1个大气压。本发明的方法简便易行、所得产品的产率、纯度均较高，适于规模化生产。所得到的铝硅碳片状粉体的长宽尺寸50～200μm，厚度4～5μm。该铝硅碳的片状结构，有利于加强陶瓷制品的结构，提高制品的强度、抗急冷急热性、抗化学腐蚀性。

公开(公告)号：CN102211935B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201010143884.8

申请日：2010-04-07

Applicant: 清华大学

Inventor： 赵建立 ,  汪长安 ,  黄勇 ,  白春丽 ,  白周义

IPC: C04B35/515 ,  C04B35/626 ,  B09B3/00

Abstract: 本发明公开了一种铝硅碳粉体的制备方法。该方法包括下述步骤：1)称量下述质量百分比的原料：刚玉砖49～60％，硅砖14～18％和炭块26％-33％，将所述原料混合，得混合料，2)将所述混合料在1大气压CO保护性气氛中，于2300～2800℃加热4～6小时，冷却后，除去产物表面杂质层，即得到铝硅碳粉体。本发明的方法以废旧耐火材料为原料，既降低了生产成本同时又实现了资源的循环利用；且该方法简便易行、所得产品的产率、纯度均较高，适于规模化生产。

公开(公告)号：CN102211937A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201010143590.5

申请日：2010-04-07

Applicant: 清华大学

Inventor： 赵建立 ,  汪长安 ,  黄勇 ,  白春丽 ,  白周义

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明公开了一种铝硅碳超细粉体的制备方法。该方法包括下述步骤：1)称量下述质量百分比的原料：高岭石20～30％，Al2O3原料40～50％和炭原料20～30％，将所述原料搅拌混合，得混合料；2)将所述混合料在真空或氩气气氛中，于1600-1700℃加热并保温8-10小时，冷却后，除去产物表面的杂质层，即得到铝硅碳超细粉体。本发明所制备的铝硅碳超细粉体的平均粒度为2～5μm，Al4SiC4质量百分含量大于99％。该铝硅碳超细粉体可直接用作陶瓷制品基质组分；不需要先合成块体铝硅碳材料，再将块体破碎成超细粉，从而节约了能源。且本发明的方法简便易行、效率高，所得产品的产率、纯度均较高。

公开(公告)号：CN102211934B

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201010143874.4

申请日：2010-04-07

Applicant: 清华大学

Inventor： 赵建立 ,  汪长安 ,  黄勇 ,  白春丽 ,  白周义

IPC: C04B35/515 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明公开了一种铝硅碳片状粉体的制备方法。该方法包括下述步骤：1)按照下述质量百分比称取原料：Al2O3原料45-60％、SiO2原料10％20％、碳原料25-40％和SiC原料14％，将所述原料混合，得混合料；2)将所述混合料在CO和Ar混合气氛中，于1900-2200℃加热2-5小时，冷却后，除去产物表面的杂质层，即得到铝硅碳片状粉体；所述混合气氛的总压力为1个大气压。本发明的方法简便易行、所得产品的产率、纯度均较高，适于规模化生产。所得到的铝硅碳片状粉体的长宽尺寸50～200μm，厚度4～5μm。该铝硅碳的片状结构，有利于加强陶瓷制品的结构，提高制品的强度、抗急冷急热性、抗化学腐蚀性。