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公开(公告)号：CN101738417A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910219376.0
申请日：2009-12-08
Applicant: 清华大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 基于冷场电子检测生化物质的芯片、制作方法及检测方法，芯片包括从下往上依次设置的衬底、第二绝缘层和固定极，第二绝缘层上面还设置有第一绝缘层，第一绝缘层上有通孔，固定极位于该通孔内，第一绝缘层上面分别设置有接收极和发射极，接收极和发射极相对设置于第一绝缘层上通孔的两侧，接收极和发射极之间的直线距离为1μm～20μm。采用现有方法在硅片上依次生成第二绝缘层和固定极，在第二绝缘层上面生成第一绝缘层，利用微成型工艺在第一绝缘层上生成通孔，将固定极露出，在第一绝缘层上面制作接收极和发射极。将芯片、电源和电流表组成电路，通过测定该电路中电流强度的变化，实现对被测生化物质的特异性定量检测。
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公开(公告)号：CN101738417B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910219376.0
申请日：2009-12-08
Applicant: 清华大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 基于冷场电子检测生化物质的芯片、制作方法及检测方法，芯片包括从下往上依次设置的衬底、第二绝缘层和固定极，第二绝缘层上面还设置有第一绝缘层，第一绝缘层上有通孔，固定极位于该通孔内，第一绝缘层上面分别设置有接收极和发射极，接收极和发射极相对设置于第一绝缘层上通孔的两侧，接收极和发射极之间的直线距离为1μm～20μm。采用现有方法在硅片上依次生成第二绝缘层和固定极，在第二绝缘层上面生成第一绝缘层，利用微成型工艺在第一绝缘层上生成通孔，将固定极露出，在第一绝缘层上面制作接收极和发射极。将芯片、电源和电流表组成电路，通过测定该电路中电流强度的变化，实现对被测生化物质的特异性定量检测。
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公开(公告)号：CN113193235B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110412045.X
申请日：2021-04-16
Applicant: 清华大学
IPC: H01M10/058 , H01M10/0565 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及电池技术领域，具体而言，涉及一种自修复聚合物电解质膜及其制备方法、电池。自修复聚合物电解质膜的制备方法包括以下步骤：将有机电解质锂盐、聚乙二醇二缩水甘油醚溶于极性有机溶剂后，在不发生聚合反应的条件下加入多胺至充分溶解，将所得溶液置于多孔基板上于50℃～70℃下加热制备自修复聚合物电解质膜；其中多胺为二亚乙基三胺、三亚乙基四胺及四亚乙基五胺中的至少一种。本发明制得的自修复聚合物电解质膜能够缓释多胺小分子单体以消除锂枝晶，实现聚合物电解质膜的自愈、电池短路故障的消除和容量的恢复。本发明还提供了一种包括该自修复聚合物电解质膜的电池。
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公开(公告)号：CN113193235A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110412045.X
申请日：2021-04-16
Applicant: 清华大学
IPC: H01M10/058 , H01M10/0565 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及电池技术领域，具体而言，涉及一种自修复聚合物电解质膜及其制备方法、电池。自修复聚合物电解质膜的制备方法包括以下步骤：将有机电解质锂盐、聚乙二醇二缩水甘油醚溶于极性有机溶剂后，在不发生聚合反应的条件下加入多胺至充分溶解，将所得溶液置于多孔基板上于50℃～70℃下加热制备自修复聚合物电解质膜；其中多胺为二亚乙基三胺、三亚乙基四胺及四亚乙基五胺中的至少一种。本发明制得的自修复聚合物电解质膜能够缓释多胺小分子单体以消除锂枝晶，实现聚合物电解质膜的自愈、电池短路故障的消除和容量的恢复。本发明还提供了一种包括该自修复聚合物电解质膜的电池。
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