公开(公告)号：CN119530965A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202311107054.3

申请日：2023-08-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 汪莱 ,  杨沛珑 ,  郝智彪 ,  罗毅

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C23C14/06 ,  C23C16/26 ,  C23C14/35 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供了一种氮化镓薄膜以及石墨烯范德华外延氮化镓薄膜生长方法。该方法包括以下步骤：步骤102，在衬底上制作一层第一AlN缓冲层；步骤103，在第一AlN缓冲层上转移二维材料层；步骤104，在二维材料层上制作一层第二AlN缓冲层；步骤105，在第二AlN缓冲层上形成GaN材料薄膜。本发明还提供了上述方法制备的氮化镓薄膜。该氮化镓薄膜的晶体质量较高且能够剥离，适用于高效率发光二极管的制备。

公开(公告)号：CN119530964A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202311107053.9

申请日：2023-08-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 汪莱 ,  杨沛珑 ,  郝智彪 ,  罗毅

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供了一种氮化镓薄膜及准范德华外延氮化镓薄膜的生长方法。该方法包括以下步骤：步骤101，衬底上转移或直接生长得到二维材料层；步骤102，采用等离子体增强MOCVD法对所述二维材料层进行处理；步骤103，在经过处理完的二维材料层上进行准范德华外延生长氮化镓，形成氮化镓单晶薄膜。本发明还提供了上述方法制备的氮化镓薄膜。本发明所提供的方法使用等离子体增强MOCVD进行准范德华外延，能够原位完成等离子体处理和外延生长。该方法在在准范德华外延中相较于MBE设备具有生长速度快，生长数量多的特点；与传统MOCVD相比，能减少二维材料在衬底传递过程中受到污染的可能性，提高晶体生长质量。