公开(公告)号：CN102181897B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201110092400.6

申请日：2011-04-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 卢年端 ,  李亮亮 ,  蔡坚 ,  李燕秋

IPC: C25D5/18 ,  C25D5/20 ,  C25D3/56

Abstract: 本发明公开了一种Co-P薄膜的制备方法，首先，制备电解液、钴片和基片；其次，多相脉冲电源的阳极与所述钴片相连接，多相脉冲电源的阴极与所述基片相连接，所述钴片和基片浸没在所述电解液中；最后，将含有所述钴片和基片的所述电解液放置在超声波振动器中，用所述超声波振动器和多相脉冲电源进行电镀。制备出的Co-P薄膜粘附性很强，并可广泛应用于具有不同结构和不同P含量的Co-P薄膜的制备。

公开(公告)号：CN102181897A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110092400.6

申请日：2011-04-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 卢年端 ,  李亮亮 ,  蔡坚 ,  李燕秋

IPC: C25D5/18 ,  C25D5/20 ,  C25D3/56

Abstract: 本发明公开了一种Co-P薄膜的制备方法，首先，制备电解液、钴片和基片；其次，多相脉冲电源的阳极与所述钴片相连接，多相脉冲电源的阴极与所述基片相连接，所述钴片和基片浸没在所述电解液中；最后，将含有所述钴片和基片的所述电解液放置在超声波振动器中，用所述超声波振动器和多相脉冲电源进行电镀。制备出的Co-P薄膜粘附性很强，并可广泛应用于具有不同结构和不同P含量的Co-P薄膜的制备。