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公开(公告)号：CN1724466A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510012187.8
申请日：2005-07-15
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/52 , C04B35/58 , C04B35/626 , B82B3/00
Abstract: 一种合成Si基一维纳米材料的方法，属于材料制备技术领域。本发明的方法制备步骤为：(1)低温交联固化：初始原料采用聚硅氮莞，250－280℃保护气氛中交联固化，得到半透明的非晶态SiCN固体；(2)高能球磨粉碎：将半透明的SiCN固体球磨粉碎，球磨的同时引入催化剂，所述催化剂为FeCl2、Al、Cu、Ni中的任何一种，所述催化剂的用量为1－5wt％；(3)高温热解：取少量高能球磨后的混合物装入氧化铝陶瓷坩锅中进行高温热解，在保护气氛中1250～1700℃热解温度下保温1～4小时，即可得到不同形貌和化学成分的低维纳米材料。合成工艺简单，可控性强，合成产物纯度高，通过简单控制几个关键工艺参数即可制备出不同形貌的低维纳米材料如纳米线、纳米带和纳米棒等。
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公开(公告)号：CN1327046C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200510012188.2
申请日：2005-07-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 单晶Si3N4纳米带和微米带的制备方法，属材料制备技术领域。本发明采用有机前驱体热解合成单晶Si3N4纳米带和微米带，含有步骤(1)低温交联固化：初始原料采用聚硅氮烷，在氮气或氨气中240-290℃保温交联固化，得到半透明的非晶态SiCN固体；(2)高能球磨粉碎：将半透明的SiCN固体在高能球磨机中球磨，同时引入催化剂，所述催化剂为FeCl2、Al、Cu、Ni、Fe中的任何一种，所述催化剂用量为1-5wt%；(3)高温热解：将高能球磨后的混合物进行高温热解，在1250～1550℃热解温度下保温。本方法工艺简单，可控性强，合成产物纯度高，通过简单控制几个关键工艺参数即可制备出不同形貌的低维纳米材料如纳米线、纳米带和纳米棒等。
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公开(公告)号：CN1312028C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200510012187.8
申请日：2005-07-15
Applicant: 清华大学
IPC: C01B21/068 , C01B31/36 , B82B3/00
Abstract: 一种合成Si基一维纳米材料的方法，属于材料制备技术领域。本发明的方法制备步骤为：(1)低温交联固化：初始原料采用聚硅氮烷，250-280℃保护气氛中交联固化，得到半透明的非晶态SiCN固体；(2)高能球磨粉碎：将半透明的SiCN固体球磨粉碎，球磨的同时引入催化剂，所述催化剂为FeCl2、Al、Cu、Ni中的任何一种，所述催化剂的用量为1-5wt%；(3)高温热解：取少量高能球磨后的混合物装入氧化铝陶瓷坩锅中进行高温热解，在保护气氛中1250～1700℃热解温度下保温1～4小时，即可得到不同形貌和化学成分的低维纳米材料。合成工艺简单，可控性强，合成产物纯度高，通过简单控制几个关键工艺参数即可制备出不同形貌的低维纳米材料如纳米线、纳米带和纳米棒等。
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公开(公告)号：CN1769547A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510012188.2
申请日：2005-07-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 单晶Si3N4纳米带和微米带的制备方法，属材料制备技术领域。本发明采用有机前驱体热解合成单晶Si3N4纳米带和微米带，含有步骤(1)低温交联固化：初始原料采用聚硅氮莞，在氮气或氨气中240－290℃保温交联固化，得到半透明的非晶态SiCN固体；(2)高能球磨粉碎：将半透明的SiCN固体在高能球磨机中球磨，同时引入催化剂，所述催化剂为FeCl2、Al、Cu、Ni、Fe中的任何一种，所述催化剂用量为1－5wt％；(3)高温热解：将高能球磨后的混合物进行高温热解，在1250～1550℃热解温度下保温。本方法工艺简单，可控性强，合成产物纯度高，通过简单控制几个关键工艺参数即可制备出不同形貌的低维纳米材料如纳米线、纳米带和纳米棒等。
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