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公开(公告)号：CN117195554A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311153092.2
申请日：2023-09-07
IPC: G06F30/20 , G06F17/11 , G06F17/16 , G06F119/14
Abstract: 本申请提供了一种摩擦力矩参数的辨识方法、装置、计算机设备和存储介质。其中，该方法包括：获取谐波减速器在不同转速运行时所采集的多组运行参数；将多组运行参数输入至预设的谐波减速器摩擦力矩模型中，确定多组运行参数对应的线性矩阵方程；其中，谐波减速器摩擦力矩模型的表达式是基于斯特里贝克模型建立的线性方程；通过广义逆矩阵方法对线性矩阵方程进行摩擦力矩参数辨识，得到谐波减速器的摩擦力矩参数。可以理解，该方法采用了基于斯特里贝克模型建立的线性方程来表达谐波减速器摩擦力矩模型，从而使用线性方法来求解摩擦力矩参数，有效避免了复杂的非线性方程处理，有利于提升谐波减速器摩擦力矩参数的辨识效率。
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公开(公告)号：CN104317739A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410589880.0
申请日：2014-10-28
Applicant: 清华大学
IPC: G06F12/08
Abstract: 本发明提供了一种混合内存页面调度方法，包括：S1.将内存统一地址转换成PCM或DRAM内存地址；S2.如果当前访问的内存页在DRAM中，则根据当前访问的内存页和上一次访问的内存页是否为相邻页以及当前访问的访问类型设置相应的标志位；S3.如果当前访问的内存页在PCM中，则根据当前访问的内存页和上一次访问的内存页是否为相邻页以及当前访问的访问类型设置相应的标志位，以及确定是否将当前访问的内存页移动到DRAM中。本发明将读操作频繁的内存页尽量放置在PCM中，将写操作频繁的内存页尽量放置在DRAM中，减少了对PCM的写操作，延长了PCM寿命。
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公开(公告)号：CN101899725B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201010149735.2
申请日：2010-04-19
CPC classification number: H01M8/1072 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01F17/0043 , C01G25/02 , C04B35/62231 , C04B35/6225 , C04B35/63416 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/526 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/781 , C04B2235/96 , D01D5/0015 , D01F6/14 , D01F9/10 , H01M8/1081 , H01M8/1093 , H01M8/1246 , H01M2250/20 , H01M2300/0071 , H01M2300/0074 , Y02E60/521 , Y02E60/525 , Y02P70/56 , Y02T90/32 , Y10S977/811 , Y10S977/896
Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物的纳米纤维的制造方法，所述金属氧化物为选自Sc，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Gd，Dy，Ho，Yb，Zr，Sr，Ba，Mn，Fe，Co，Ma以及Ga中的至少一种金属的金属氧化物，包括：a)将含有所述金属的盐的前驱体化合物进行纺丝，从而制造含有所述金属氧化物的前驱体的纳米纤维；以及b)将含有所述金属的盐的前驱体的纳米纤维在500-800℃温度范围内煅烧，获得含有所述至少一种金属元素的金属氧化物的纳米纤维。本发明进一步公开了一种金属氧化物的纳米纤维、固体电解质材料、燃料电池和氧传感器。
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公开(公告)号：CN104731713B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201510121627.7
申请日：2015-03-18
Applicant: 清华大学
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G06F12/0238 , G06F2212/7201
Abstract: 本发明提供了一种基于随机映射的相变内存磨损均衡方法，包括：生成一个内存地址随机映射表作为当前内存地址随机映射表；所述当前内存随机映射表中有s/M个表项；s为相变内存的大小，M为一个相变内存行的大小；当发生内存写操作时，若所述写次数计数器未达到预设的写次数阈值，则判断所述当前内存地址随机映射表中相应表项的调整标志位是否已被设置；若被设置，则使用当前内存地址随机映射表的逻辑内存地址和物理内存地址的映射关系进行地址转换；否则，进行内存调整过程，并修改当前内存地址随机映射表中相应表项的物理地址值和调整标记位。本发明可改进相变内存磨损均衡效果，达到提升相变内存寿命的目的，同时对性能的影响降到最低。
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公开(公告)号：CN103500261B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310497598.5
申请日：2013-10-22
Applicant: 国家电网公司 , 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 清华大学
Abstract: 一种直流输电系统故障模拟方法，步骤如下：1：根据短路故障发生地点，判断是否有直流系统与其位于同一电气岛，若否，则直流系统不采取任何操作；2：若有直流系统与故障地点位于同一电气岛，则判断故障持续时间是否小于直流系统100Hz谐波、零序电流和换相失败保护的动作时间，若是，进入步骤5，否则进入步骤3；3：在该岛内进行交流母线短路电压计算；4：根据短路故障类型判断保护是否启动；5：根据故障信息，判断是否直流线路安稳控制策略需要启动。若是，则根据策略表执行功率设定调整的操作。否则退出；本发明能够回避利用仿真软件对直流系统进行建模以及暂态仿真，并确保在模拟交直流系统故障时，直流输电系统的响应有足够的精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101899725A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010149735.2
申请日：2010-04-19
CPC classification number: H01M8/1072 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01F17/0043 , C01G25/02 , C04B35/62231 , C04B35/6225 , C04B35/63416 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/526 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/781 , C04B2235/96 , D01D5/0015 , D01F6/14 , D01F9/10 , H01M8/1081 , H01M8/1093 , H01M8/1246 , H01M2250/20 , H01M2300/0071 , H01M2300/0074 , Y02E60/521 , Y02E60/525 , Y02P70/56 , Y02T90/32 , Y10S977/811 , Y10S977/896
Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物的纳米纤维的制造方法，所述金属氧化物为选自Sc，Y，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Gd，Dy，Ho，Yb，Zr，Sr，Ba，Mn，Fe，Co，Ma以及Ga中的至少一种金属的金属氧化物，包括：a)将含有所述金属的盐的前体化合物进行纺丝，从而制造含有所述金属氧化物的前体的纳米纤维；以及b)将含有所述金属的盐的前体的纳米纤维在500-800℃温度范围内煅烧，获得含有所述至少一种金属元素的金属氧化物的纳米纤维。本发明进一步公开了一种金属氧化物的纳米纤维、固体电解质材料、燃料电池和氧传感器。
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公开(公告)号：CN103647272A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310497050.0
申请日：2013-10-22
Applicant: 国家电网公司 , 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 清华大学
Abstract: 适用于连锁故障的交直流电网静态等值方法，步骤如下：1、读入系统参数；2、根据用户输入的节点区域信息及电气岛搜索情况，对待等值系统进行内外网划分，找出边界节点；3、将交直流电网转化为纯交流电网；4、对外网进行扩展Ward静态等值；5、输出等值系统数据文件；6、利用等值后的系统进行连锁故障仿真，对系统边界上的线路和设备进行初始故障设置；本发明通过在外网静态等值时对直流线路进行等效处理，并对等值后的边界线路及设备的初始故障进行设置，使外网连锁故障对内网的影响能够很好地反映在边界上，从而利用等值后的小规模系统进行连锁故障分析，加快运算速度。
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公开(公告)号：CN104714894B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201510119973.1
申请日：2015-03-18
Applicant: 清华大学
IPC: G06F12/02
Abstract: 本发明提供了一种分层的基于随机映射的相变内存磨损均衡方法，包括：S1.将相变内存地址空间划分为RANK、BANK、REGION三个层次，并设置每个层次的内存写次数计数器；S2.初始化每个层次的内存随机映射表集；如果某一层次的内存写次数计数器大于或等于该层次预设的写次数阈值，则更新其内存随机映射表集；S3.针对内存写操作，分别从RANK层、BANK层和REGION层进行内存逻辑地址到内存物理地址的转换。本发明所述的分层的基于随机映射的相变内存磨损均衡方法可改进相变内存磨损均衡效果，达到提升相变内存寿命的目的，同时对性能的影响降到最低。
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公开(公告)号：CN104731713A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510121627.7
申请日：2015-03-18
Applicant: 清华大学
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G06F12/0238 , G06F2212/7201
Abstract: 本发明提供了一种基于随机映射的相变内存磨损均衡方法，包括：生成一个内存地址随机映射表作为当前内存地址随机映射表；所述当前内存随机映射表中有s/M个表项；s为相变内存的大小，M为一个相变内存行的大小；当发生内存写操作时，若所述写次数计数器未达到预设的写次数阈值，则判断所述当前内存地址随机映射表中相应表项的调整标志位是否已被设置；若被设置，则使用当前内存地址随机映射表的逻辑内存地址和物理内存地址的映射关系进行地址转换；否则，进行内存调整过程，并修改当前内存地址随机映射表中相应表项的物理地址值和调整标记位。本发明可改进相变内存磨损均衡效果，达到提升相变内存寿命的目的，同时对性能的影响降到最低。
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公开(公告)号：CN103500261A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310497598.5
申请日：2013-10-22
Applicant: 国家电网公司 , 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 清华大学
Abstract: 一种直流输电系统故障模拟方法，步骤如下：1：根据短路故障发生地点，判断是否有直流系统与其位于同一电气岛，若否，则直流系统不采取任何操作；2：若有直流系统与故障地点位于同一电气岛，则判断故障持续时间是否小于直流系统100Hz谐波、零序电流和换相失败保护的动作时间，若是，进入步骤5，否则进入步骤3；3：在该岛内进行交流母线短路电压计算；4：根据短路故障类型判断保护是否启动；5：根据故障信息，判断是否直流线路安稳控制策略需要启动。若是，则根据策略表执行功率设定调整的操作。否则退出；本发明能够回避利用仿真软件对直流系统进行建模以及暂态仿真，并确保在模拟交直流系统故障时，直流输电系统的响应有足够的精度。
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