一种制造高稳定性的电压基准芯片的方法

    公开(公告)号:CN117976612A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202410133922.3

    申请日:2024-01-31

    摘要: 本发明通过Monolithic单芯片技术路线以及MCM多芯片技术路线都可以形成一种有效的基于空气沟道的缓冲结构,从而降低封装填充材料带来的压力变化影响,其中Monolithic单芯片技术路线采用传统半导体工艺技术,在电压基准芯片/单元结构的衬底芯片上制造出全包围的空气沟道缓冲结构,而MCM多芯片技术路线则在硅基substrate基板上采用半导体工艺技术形成空气沟道缓冲结构和基板上互联需要的金属,把电压基准的小芯片采用先进封装/键合的技术与其他功能芯片实现多芯片模块。本发明通过两种技术方式都可以形成一种有效的基于空气沟道的缓冲结构,从而降低封装填充材料带来的压力变化影响。

    菊花链命令执行方法、装置、设备及可读存储介质

    公开(公告)号:CN118409991A

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202311626721.9

    申请日:2023-11-29

    IPC分类号: G06F13/42

    摘要: 本申请提供一种菊花链命令执行方法、装置、设备及可读存储介质,通过在各个AFE中预先存储多个命令组,将MCU控制命令组中各个子命令的执行顺序的工作负荷载入到各个AFE,总线上只传输了携带命令组标识的指令而不再传输每一条子命令,避免了部分命令在AFE之间传输出错引起的重传,提高了菊花链的工作效率;同时,AFE严格按预定义的命令组中各个子命令的时序执行该组命令,并将结果存储在存储器内,AFE内部的子命令执行时序控制和触发机制避免了MCU多任务造成的不可预知时延,提高了菊花链通信的可靠性。