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公开(公告)号：CN115547851A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211275042.7
申请日：2022-10-18
Applicant: 深圳市禾望电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块的芯片配置方法，判断母线对负载的工况为升压工况或者降压工况，并计算所述IGBT模块上桥中包括的IGBT芯片及IGBT模块下桥中包括的IGBT芯片的情况；当母线对负载的工况为降压工况时，且IGBT模块中的IGBT芯片的损耗小于IGBT模块中的二极管芯片的损耗，则将IGBT模块下桥的IGBT芯片替换为MOS芯片形成新封装IGBT模块，该功率半导体模块的芯片配置方法在充分计算IGBT模块内部损耗情况下，根据损耗情况对IGBT模块上桥或者下桥的芯片种类及数量进行配置，充分发挥IGBT模块内部芯片的性能，减少IGBT芯片做无用功，降低成本、提高效率。
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公开(公告)号：CN115374615A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210940241.9
申请日：2022-08-05
Applicant: 深圳市禾望电气股份有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F30/33 , G06F119/04
Abstract: 本发明公开了一种提升IGBT功率模块寿命的配置方法，包括将所述衬底厚度增加至H,仿真得到所述IGBT功率模块结温波动幅度、结温波动的最大值及结温波动的最小值，根据IGBT功率模块寿命预测策略得出模块循环周期，再通过IGBT功率模块寿命预测策略得到所述IGBT功率模块的寿命；该提升IGBT功率模块寿命的配置方法对IGBT功率模块的衬底厚度进行配置，将增加功率模块衬底厚度融合寿命配置策略对IGBT功率模块进行最佳寿命配置，提高了IGBT功率模块的比热容，延长了IGBT功率模块的使用寿命。
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公开(公告)号：CN222852179U
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202421794490.2
申请日：2024-07-28
Applicant: 深圳市禾望电气股份有限公司
Abstract: 本申请公开一种均压电路，第一均压对象设置在第一节点与第四节点之间，第二均压对象设置在第二节点与第四节点之间；第一电阻设置在第一节点与第三节点之间，第二电阻设置在第二节点与第三节点之间；第一组合管的第一端与第三节点连接，第三电阻的一端与第一节点连接，第三电阻的另一端与第一组合管的第二端连接，第一组合管的第三端与第四节点连接；第二组合管的第一端与第三节点连接，第四电阻的一端与第二节点连接，第四电阻的另一端与第二组合管的第二端连接，第二组合管的第三端与第四节点连接。本申请提供的均压电路，解决了现有均压电路中，在高压应用场景下存在的器件选型困难、均压效果不佳的问题。
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公开(公告)号：CN212086059U
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202020769183.4
申请日：2020-05-11
Applicant: 深圳市禾望电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种变流器保护装置及变流器，保护装置包括横向铜排M1、M2和竖向铜排L1、L2、L3、L4以及三组桥臂电路，竖向铜排L1、L2、L3、L4分别连接于横向铜排M1和M2之间，相邻竖向铜排之间分别设置一组桥臂电路，每组桥臂电路都包括串联于铜排M1、M2之间的两个半导体开关器件，每组桥臂电路中两个半导体开关器件的连接点为桥臂电路中点，电机转子U、V、W三相分别经三个耗能电阻R1、R2、R3与三个桥臂电路中点相连。本实用新型的变流器保护装置及变流器具有成本低的优点。
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公开(公告)号：CN218333799U
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202222654929.9
申请日：2022-09-30
Applicant: 深圳市禾望电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种功率半导体器件，包括焊接于金属件主体上的宽禁带MOS芯片组，宽禁带MOS芯片组包括至少两个宽禁带MOS芯片，所有宽禁带MOS芯片相互并联在一起，各个宽禁带MOS芯片并联后的源极连接于器件封装主体的主体源极，各个宽禁带MOS芯片并联后的栅极连接于器件封装主体的主体栅极，各个宽禁带MOS芯片并联后的漏极与金属件主体导通并通过金属件主体连接至所述主体漏极，所述主体源极及所述主体栅极与所述金属件主体之间进行绝缘处理；该功率半导体器件内部采用多个相对小的宽禁带MOS芯片并联，在实现同样的电流情况下减小芯片的占用面积，提高芯片加工及器件封装的良率，降低器件成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN216291945U
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202122414731.9
申请日：2021-10-06
Applicant: 深圳市禾望电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种水冷三电平变频装置，包括水冷板散热器，所述水冷板散热器的两侧分别安装有第一功率器件和第二功率器件，所述水冷板散热器一侧设置有电容组件，第一功率器件和第二功率器件通过第一正负叠层铜排连接，所述电容组件通过第二正负叠层铜排连接第一功率器件，所述电容组件与功率器件通过独立散热方式进行散热；该水冷三电平变频装置布局紧凑，实现了不同功耗器件的独立散热，散热效果好，成本低。
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公开(公告)号：CN212365967U
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202020953566.7
申请日：2020-05-30
Applicant: 深圳市禾望电气股份有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/495
Abstract: 本申请公开一种分立器件以及电力电子设备，所述分立器件包括封装在壳体内的功率晶体管以及至少一个宽禁带功率二极管，所述功率晶体管和所述至少一个宽禁带功率二极管均焊接在基板上，且所述功率晶体管与所述至少一个宽禁带功率二极管反并联连接。本申请提供的分立器件以及电力电子设备，通过宽禁带功率二极管的应用，可以有效减少芯片面积，便于器件的布局和封装；选择合适数量的器件以及不同标称连续直流电流的器件，可以提升分立器件的电流能力，适用一些特殊需求场合。
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公开(公告)号：CN219611751U
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202320562751.7
申请日：2023-03-13
Applicant: 深圳市禾望电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路，包括晶闸管驱动电路单元和抗干扰模块单元，所述晶闸管驱动电路单元包括驱动变压器、第一MOS管器件，驱动变压器原边的一端连接供电电源Vcc，所述驱动变压器原边的二端连接第一MOS管器件；晶闸管驱动信号DRV端连接所述第一MOS管器件的一端；驱动变压器副边的三端通过第一二极管及第二限流电阻连接支撑电容、门极电阻的一端及晶闸管的第一端，所述抗干扰模块单元连接晶闸管驱动信号DRV端及晶闸管的第一端；该驱动电路提高了晶闸管驱动电路的抗干扰能力，避免晶闸管误触发的问题，实施简单，成本低，在模块出现故障时保障了驱动电路的准确动作。
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公开(公告)号：CN216146241U
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202122057468.2
申请日：2021-08-30
Applicant: 深圳市禾望电气股份有限公司
IPC: H02M1/32
Abstract: 本实用新型公开了一种过压抑制电路、变流器及变频器,包括第一IGBT钳位回路、第二IGBT钳位回路，所述第一IGBT钳位回路及第二IGBT钳位回路并联后连接N个IGBT内管，在所述IGBT内管之间连接有用于抑制IGBT两端电压以防IGBT过压失效的瞬态电压抑制二极管及限流电阻，所述瞬态电压抑制二极管与所述限流电阻串联后再与所述IGBT内管并联，该过压抑制电路既能抑制IGBT两端电压以防IGBT过压失效，也不会引入附加损耗，节省成本，结构简单，易于实现，能较好地对IGBT进行过压保护。
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公开(公告)号：CN215896386U
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202121929906.3
申请日：2021-08-17
Applicant: 深圳市禾望电气股份有限公司
Abstract: 本申请公开一种功率器件模块，包括第一直接铜键合衬底，安装于所述第一直接铜键合衬底上的第一二极管和第一功率器件，所述第一二极管与所述第一功率器件反并联连接；第二直接铜键合衬底，安装于所述第二直接铜键合衬底上的第二二极管和第二功率器件，所述第二二极管与所述第二功率器件反并联连接；所述第一二极管和所述第一功率器件的数量不相同，所述第二二极管和所述第二功率器件的数量不相同。本申请通过在直接铜键合衬底上设置二极管和功率器件的数量不相同，在应用于新能源发电领域时，能够减少功率器件模块的并联，避免功率器件的浪费。
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