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公开(公告)号:CN106059538B
公开(公告)日:2019-01-01
申请号:CN201610333230.9
申请日:2016-05-19
申请人: 深圳大学
IPC分类号: H03K3/0231 , H03K3/011
摘要: 本发明公开了一种自带工艺偏差校准功能的张弛振荡器,包括基准信号发生器、本征振荡器、时间数字转换器和补偿电容阵列,时间数字转换器包括比较器、开关电容电路和计数器;基准信号发生器向开关电容电路中提供第一基准电压,向比较器提供第二基准电压;本征振荡器的输出频率控制开关电容电路,开关电容电路的输出电压接比较器,比较器的输出端接计数器;计数器的输出端接补偿电容阵列,计数器的输出自动调节补偿电容阵列的电容值,相应地改变了本征振荡器的频率。本发明张弛振荡器自带片上校准功能、芯片与芯片之间误差较小,减少了制片成本,提高了芯片的精度。
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公开(公告)号:CN106059538A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610333230.9
申请日:2016-05-19
申请人: 深圳大学
IPC分类号: H03K3/0231 , H03K3/011
CPC分类号: H03K3/0231 , H03K3/011
摘要: 本发明公开了一种自带工艺偏差校准功能的张弛振荡器,包括基准信号发生器、本征振荡器、时间数字转换器和补偿电容阵列,时间数字转换器包括比较器、开关电容电路和计数器;基准信号发生器向开关电容电路中提供第一基准电压,向比较器提供第二基准电压;本征振荡器的输出频率控制开关电容电路,开关电容电路的输出电压接比较器,比较器的输出端接计数器;计数器的输出端接补偿电容阵列,计数器的输出自动调节补偿电容阵列的电容值,相应地改变了本征振荡器的频率。本发明张弛振荡器自带片上校准功能、芯片与芯片之间误差较小,减少了制片成本,提高了芯片的精度。
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公开(公告)号:CN107222694B
公开(公告)日:2020-07-14
申请号:CN201710271866.X
申请日:2017-04-24
申请人: 深圳大学
IPC分类号: H04N5/374 , H04N5/3745 , H01L27/146
摘要: 本发明提供了一种低像素尺寸的单光子CMOS图像传感器像素电路,包含淬火电路,模拟计数电路和读出电路,淬火电路一端连接模拟计数电路,模拟计数电路一端连接读出电路。淬火电路含有一个单光子雪崩二极管,淬火电路控制单光子雪崩二极管的工作与关闭并产生脉冲。本发明的单光子CMOS图像传感器像素电路,只使用5个NMOS晶体管和1个单光子雪崩二极管,结构精简,适用于高分辨率的单光子CMOS图像传感器。
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公开(公告)号:CN107222694A
公开(公告)日:2017-09-29
申请号:CN201710271866.X
申请日:2017-04-24
申请人: 深圳大学
IPC分类号: H04N5/374 , H04N5/3745 , H01L27/146
CPC分类号: H04N5/374 , H01L27/14601 , H01L27/14643 , H04N5/3745
摘要: 本发明提供了一种低像素尺寸的单光子CMOS图像传感器像素电路,包含淬火电路,模拟计数电路和读出电路,淬火电路一端连接模拟计数电路,模拟计数电路一端连接读出电路。淬火电路含有一个单光子雪崩二极管,淬火电路控制单光子雪崩二极管的工作与关闭并产生脉冲。本发明的单光子CMOS图像传感器像素电路,只使用5个NMOS晶体管和1个单光子雪崩二极管,结构精简,适用于高分辨率的单光子CMOS图像传感器。
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