公开(公告)号：CN116364532A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310285266.4

申请日：2023-03-14

Applicant: 深圳信息职业技术学院 ,  哈尔滨工业大学(深圳)

Inventor： 岳德武 ,  陈洪宇 ,  马兴毅 ,  王新中 ,  刘新科 ,  宿世臣 ,  钱永腾 ,  刘晓迟

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L29/772

Abstract: 本申请提供了硒化钨的减薄方法及硒化钨材料与场效应晶体管，硒化钨的减薄方法包括以下步骤：提供初阶产品，初阶产品包括衬底以及附着于衬底表面的硒化钨，对硒化钨的表面进行氧等离子体处理，生成WOx氧化层，得到表面具有WOx氧化层的第一阶产品；采用能够与WOx反应的碱溶液去除第一阶产品中的WOx氧化层，得到目标硒化钨材料。通过氧等离子体处理将待减薄的硒化钨的表面进行氧化，得到预设厚度的WOx氧化层，再用碱溶液与WOx氧化层反应，去除WOx氧化层，得到目标厚度的硒化钨，即硒化钨材料；在减薄过程中不会损伤硒化钨层，同时去除了WOx杂质，避免了在制备过程中硒化钨被氧化或晶体结构被损坏而产生的电学性能下降等问题，操作简单，可控性强。