专利检索 ap:("海力士半导体有限公司") AND inv:"桂祯涉" 第 1 页

1.

发明授权
半导体器件、以及包含该半导体器件的组件和系统有权

公开(公告)号：CN103107160B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201210020862.1

申请日：2012-01-30

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 桂祯涉 , 韩正民

IPC分类号： H01L23/528 , H01L21/768

CPC分类号： H01L27/10823 , H01L27/10876 , H01L27/10888

摘要： 本发明公开一种包括埋入式栅极的半导体器件。在半导体器件中，位线触点与有源区的顶部表面和侧表面接触，从而增加了在位线触点和有源区之间的接触面积并且防止在位线触点中产生高电阻故障。

2.

发明公开
半导体器件、以及包含该半导体器件的组件和系统有权

公开(公告)号：CN103107160A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210020862.1

申请日：2012-01-30

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 桂祯涉 , 韩正民

IPC分类号： H01L23/528 , H01L21/768

CPC分类号： H01L27/10823 , H01L27/10876 , H01L27/10888

摘要： 本发明公开一种包括埋入式栅极的半导体器件。在半导体器件中，位线触点与有源区的顶部表面和侧表面接触，从而增加了在位线触点和有源区之间的接触面积并且防止在位线触点中产生高电阻故障。