公开(公告)号：CN112930631A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201980069730.8

申请日：2019-10-23

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 杉山贵浩 ,  渡边明佳 ,  宫地宏树 ,  加城谅一 ,  神崎武司

IPC: H01S5/183

Abstract: 本发明的一方式涉及具备形成共振模式的层的发光元件等。该发光元件具备基板和由半导体层叠体构成的结构体，半导体层叠体包含第一包覆层、第二包覆层、活性层及共振模式形成层。共振模式形成层包含基本层和多个不同折射率区域。在结构体的一个面，设置有激光输出区域，在另一个面设置有金属电极膜。金属电极膜包含相对于结构体构成欧姆接触的第一层、反射来自共振模式形成层的光的第二层、第三层、和焊料接合用的第四层。第三层具有与第二层及第四层的组成不同的组成，并且关于焊料材料的扩散程度，具有比第二层及第四层低的扩散程度。

公开(公告)号：CN112930631B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201980069730.8

申请日：2019-10-23

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 杉山贵浩 ,  渡边明佳 ,  宫地宏树 ,  加城谅一 ,  神崎武司

IPC: H01S5/183

Abstract: 本发明的一方式涉及具备形成共振模式的层的发光元件等。该发光元件具备基板和由半导体层叠体构成的结构体，半导体层叠体包含第一包覆层、第二包覆层、活性层及共振模式形成层。共振模式形成层包含基本层和多个不同折射率区域。在结构体的一个面，设置有激光输出区域，在另一个面设置有金属电极膜。金属电极膜包含相对于结构体构成欧姆接触的第一层、反射来自共振模式形成层的光的第二层、第三层、和焊料接合用的第四层。第三层具有与第二层及第四层的组成不同的组成，并且关于焊料材料的扩散程度，具有比第二层及第四层低的扩散程度。

公开(公告)号：CN110380336B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201910289821.4

申请日：2019-04-11

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 神崎武司 ,  宫地宏树 ,  加城谅一

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/343

Abstract: 该半导体发光元件包括：活性层；夹着活性层的上部包层和下部包层；和与活性层光学结合的相位调制层，其中相位调制层包括：基本层；和与基本层折射率不同的多个差异折射率区域，多个差异折射率区域配置成，在相位调制层的倒易晶格空间上的明线的外侧的区域形成图案。

公开(公告)号：CN110380336A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201910289821.4

申请日：2019-04-11

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 神崎武司 ,  宫地宏树 ,  加城谅一

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/343

Abstract: 该半导体发光元件包括：活性层；夹着活性层的上部包层和下部包层；和与活性层光学结合的相位调制层，其中相位调制层包括：基本层；和与基本层折射率不同的多个差异折射率区域，多个差异折射率区域配置成，在相位调制层的倒易晶格空间上的明线的外侧的区域形成图案。