公开(公告)号：CN118670371A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410782925.X

申请日：2024-06-18

申请人： 浙江工业大学

发明人： 于会尧 ,  潘思承 ,  沈云涛 ,  郑均成 ,  李锦熠 ,  郑文强 ,  李衎

IPC分类号： G01C19/60 ,  G03F7/00 ,  C23C16/511 ,  C23C16/26 ,  C23C16/27

摘要： 本发明公开一种原子气室的制造方法以及原子气室，涉及量子精密测量技术领域，旨在解决抗弛豫镀膜抗弛豫效果不理想或耐热性差的问题，方法包括：在硅晶圆上表面光刻气室图形以得到正面原子气室轮廓，对硅晶圆上表面进行刻蚀；在硅晶圆下表面光刻气室图形以得到背面原子气室轮廓，对硅晶圆下表面进行刻蚀；在硅晶圆上表面光刻微通道图形，进行微通道刻蚀；将硅晶圆下表面与玻璃晶圆进行阳极键合；在硅晶圆和玻璃晶圆上镀过渡层，随后在硅晶圆和玻璃晶圆上镀膜；将镀膜后的硅晶圆上表面与玻璃晶圆进行阳极键合；还包括对应的原子气室；本发明能够使原子气室具有良好的抗弛豫能力、耐热性，进一步提高测量的灵敏度。