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发明公开
与SOI CMOS工艺兼容的平面SiGe异质结晶体管及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN119545820A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411703638.1

申请日：2024-11-26

Applicant: 浙江大学绍兴研究院

Inventor： 张睿 , 杨若诚

IPC: H10D10/01 , H10D10/80 , H10D64/23 , H10D64/27 , H10D64/62 , H10D62/10 , H10D62/822

Abstract: 本发明公开了与SOI CMOS工艺兼容的平面SiGe异质结晶体管及其制造方法，与SOI CMOS工艺兼容的平面SiGe异质结晶体管包括在SOI晶圆上设置的发射极、基极和集电极，三个区域平面型排布，电流横向流通，其中发射极和集电极完全对称，由绝缘层上n型掺杂的硅构成；基极由一定组分结构的p型掺杂硅锗合金构成，对发射极、基极和集电极分别使用多晶硅进行接触。本发明公开的与SOI CMOS工艺兼容的平面SiGe异质结晶体管及其制造方法，用于解决传统垂直型SiGe HBT难以兼容先进CMOS工艺节点的问题。

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