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公开(公告)号：CN119618422A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411703629.2
申请日：2024-11-26
Applicant: 浙江大学绍兴研究院
Abstract: 本发明公开了基于场效应晶体管的压力传感器件及其制造方法，基于场效应晶体管的压力传感器件包括SOI衬底，所述SOI衬底上方设置硅锗外延层，氧化浓缩形成SGOI衬底，在所述SGOI衬底上光刻出栅极，所述栅极两侧分别设有金属源端和金属漏端，所述金属源端和所述金属漏端上分别设置接触电极并接引线，从而分别作为源极和漏极，在所述SGOI衬底的背面刻蚀凹槽作为压力感应点。本发明公开的基于场效应晶体管的压力传感器件及其制造方法，在压力状态下，硅锗背面受到张应力，载流子迁移率改变导致源漏输出电流大小变化，具有反向初始应变的硅锗场效应晶体管能延缓应力释放，实现压力值定量标定的同时增大测量范围。
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