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公开(公告)号：CN118034411A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410136539.3
申请日：2024-01-31
Applicant: 浙江大学
IPC: G05D23/22
Abstract: 本发明公开了一种基于自抗扰控制的单片式硅外延设备反应腔温度控制方法和装置，属于硅外延设备反应腔温度控制技术领域，包括：将反应腔分为四个区域，在每个区域中分别设置热传感器和加热器件，基于一阶加时滞模型构建传递矩阵，得到功率‑温度模型；根据功率‑温度模型，构建自抗扰控制算法，基于每个区域的目标温度、上一时刻的实际温度和第一补偿后输出功率，采用自抗扰控制算法计算对应区域当前时刻的第二补偿后输出功率，加热器件以所述第二补偿后输出功率进行加热，将反应腔的温度控制在目标温度。本发明提出的方法能够对外部温度波动进行及时响应，并对内部多区域加热耦合温度影响进行补偿，提高了温度控制的非线性适应性。
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