公开(公告)号：CN116981349A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310956643.2

申请日：2023-08-01

Applicant: 浙江大学

Inventor： 林芃 ,  陈鹏 ,  潘纲 ,  李佩鸿

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  H10B63/00

Abstract: 本发明公开了一种全固态垂直型电化学随机存储器及其制备方法，包括氧化硅衬底以及依次堆叠在氧化硅衬底上的源‑漏电极、氧化物沟道层、氧离子电解质层和金属栅极；其中，源‑漏电极包括间隔布置的源电极和漏电极；氧化物沟道层采用半导体氧化物薄膜材料，沉积在源电极和漏电极之间，氧化物沟道层与源电极、漏电极之间通过沉积同类型金属或者热处理过程形成欧姆接触；氧离子电解质层和沉积金属栅极均完全覆盖源电极和漏电极之间的间隔区域，通过电压驱动离子在金属栅极‑电解质‑沟道之间可逆地移动，形成栅压对沟道电导的调控。本发明在简化器件工艺的同时提高器件的均一性，实现对沟道电导的线性、对称调控，并可与CMOS芯片集成。

公开(公告)号：CN119623542A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411700224.3

申请日：2024-11-26

Applicant: 浙江大学

Inventor： 林芃 ,  肖宇 ,  陈鹏 ,  潘纲

IPC: G06N3/063 ,  G06N3/049

Abstract: 本发明公开了一种基于快慢电路的可重构类脑神经元电路，包括快速子电路和慢速子电路，快、慢子电路相互耦合决定脉冲发放模式；快速子电路包括易失性阈值阻变器件CH1和电容C1，CH1的输入端通过输入电阻连接到信号源，CH1的输出端连接到慢速子电路的输入端；C1的一端和CH1的输入端连接，另一端接地；慢速子电路包括并联的易失性阈值阻变器件CH2、电容C2和非易失性阈值阻变器件；慢速子电路输入端和快速子电路连接，用于接收快速子电路的脉冲电流，慢速子电路输出端和输出电阻连接，连接点作为神经元的脉冲输出端口。本发明构建的神经元电路的信息表达能力更强，有利于提升脉冲神经网络的性能，可用于构建具有更强的认知能力和计算效率的智能计算系统。

公开(公告)号：CN119048879A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411077370.5

申请日：2024-08-07

Applicant: 浙江大学

Inventor： 林芃 ,  徐蕾 ,  刘丰豪 ,  潘纲

IPC: G06V10/82 ,  G06V10/764 ,  G06V10/44 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/045 ,  G06N3/044 ,  G06N3/049 ,  G06N3/084 ,  G06N3/0985 ,  G06N7/01

Abstract: 本发明公开了一种结合滑动窗口的液体状态机设计方法，包括：(1)获取图像数据集，对图像数据预处理后作为训练数据，进行脉冲编码转换后得到脉冲信号；(2)构建结合滑动窗口的液体状态机模型，具体如下：从液体层中选取需与输入层神经元建立连接的神经元；通过滑动窗口的方式构建输入层神经元到所选液体层神经元的连接；建立液体层神经元内部连接；通过可训练输出层实现数据分类；(3)基于训练数据，通过贝叶斯优化技术自动调整液体状态机的关键参数，寻找一组较优的参数设置，以优化模型的分类性能；(4)将待分类的图像进行数据处理后输入训练好的模型，得到相应分类结果。利用本发明，可以提高图像分类的准确性。