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公开(公告)号：CN101239735B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810060157.8
申请日：2008-03-13
Applicant: 浙江大学
IPC: C01G11/02
Abstract: 本发明公开了一种制备硫化镉纳米棒阵列的方法，包括以下步骤：将透明导电基片洗净去油污，并在丙酮、乙醇和去离子水中分别进行超声处理，烘干；将含镉前驱体、含硫前驱体和还原谷胱甘肽溶于水中制得溶液；将烘干的透明导电基片置于溶液中并加热，完全反应后用水冲洗基片，制得硫化镉纳米棒阵列。本发明提供的制备硫化镉纳米棒阵列的方法，只需一步久就能完成，工艺简单，制得的硫化镉纳米棒长度可调，采用的基片是透明的导电基片，适于直接制备电子器件，容易被推广应用。
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公开(公告)号：CN101239735A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810060157.8
申请日：2008-03-13
Applicant: 浙江大学
IPC: C01G11/02
Abstract: 本发明公开了一种制备硫化镉纳米棒阵列的方法，包括以下步骤：将透明导电基片洗净去油污，并在丙酮、乙醇和去离子水中分别进行超声处理，烘干；将含镉前驱体、含硫前驱体和还原谷胱甘肽溶于水中制得溶液；将烘干的透明导电基片置于溶液中并加热，完全反应后用水冲洗基片，制得硫化镉纳米棒阵列。本发明提供的制备硫化镉纳米棒阵列的方法，只需一步就能完成，工艺简单，制得的硫化镉纳米棒长度可调，采用的基片是透明的导电基片，适于直接制备电子器件，容易被推广应用。
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公开(公告)号：CN101276881A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810062319.1
申请日：2008-05-08
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种多孔硅/DPP光电复合材料的制备方法，包括以下步骤：将单晶硅片洗净去油污，并在丙酮、乙醇和去离子水中分别进行超声处理，烘干；将烘干的单晶硅片用氢氟酸清洗除去表面的SiO2，在处理后的单晶硅片背面溅射一层金膜；在通电条件下，将覆有金膜的单晶硅片作为阳极，铂片作为阴极，置入电解液中进行电化学腐蚀；在通电条件下，将腐蚀后的单晶硅片作为阴极，铂片作为阳极，置入含三氟乙酸的DPP饱和溶液中进行电化学沉积，真空干燥沉积了DPP的单晶硅片。本发明的制备方法工艺简单，另外多孔硅与DPP能级结构匹配，因此多孔硅/DPP光电复合材料具有在光伏器件领域获得应用的潜力。
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公开(公告)号：CN101580604A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910099057.0
申请日：2009-06-08
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种复合纳米改性填料的制备方法，以亲水性碳纳米管、纳米CaCO3和炭黑组成主原料，包括以下步骤：1)将纳米CaCO3和炭黑混合，得混合物；2)将亲水性碳纳米管与分散剂和去离子水混合，并调节pH值为7～12，得碳纳米管混合液；3)将混合物和碳纳米管混合液混合后，经喷雾干燥，得复合纳米改性填料。本发明还同时公开了按照上述方法制备的复合纳米改性填料。采用本发明复合纳米改性填料所制备的橡胶密封制品具有优良的机械性能、耐腐蚀性能和耐黄变性能。
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公开(公告)号：CN100536191C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200810062319.1
申请日：2008-05-08
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种多孔硅/DPP光电复合材料的制备方法，包括以下步骤：将单晶硅片洗净去油污，并在丙酮、乙醇和去离子水中分别进行超声处理，烘干；将烘干的单晶硅片用氢氟酸清洗除去表面的SiO2，在处理后的单晶硅片背面溅射一层金膜；在通电条件下，将覆有金膜的单晶硅片作为阳极，铂片作为阴极，置入电解液中进行电化学腐蚀；在通电条件下，将腐蚀后的单晶硅片作为阴极，铂片作为阳极，置入含三氟乙酸的DPP饱和溶液中进行电化学沉积，真空干燥沉积了DPP的单晶硅片。本发明的制备方法工艺简单，另外多孔硅与DPP能级结构匹配，因此多孔硅/DPP光电复合材料具有在光伏器件领域获得应用的潜力。
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