公开(公告)号：CN112532056B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202011348298.7

申请日：2020-11-26

Applicant: 浙江大学

Inventor： 郭吉放 ,  屈万园 ,  杨旭 ,  曹海啸

IPC: H02M3/158 ,  H02M1/088

Abstract: 本发明公开了一种基于压控延时线的DC‑DC电源补偿控制电路，分为补偿电路与延时线两部分，压控输出点连接延时线控制端，压控输出点为反馈电压经过补偿电路后的输出位置，延时线的外部接口包括外部时钟信号输入端、延时信号输出端、控制端，延时线的输入端接时钟信号，通过延时线完成将电压控制转换为时间控制的功能。同时，本发明以传统的Type III型电路补偿网络作为压控部分，输出控制电压，控制延时线延时大小，确保延时线输出与外部时钟相位差满足控制要求，即占空比满足当前状态要求，使得实现宽输出电压范围的前提下，而不影响稳定性；与传统控制模式相比，本发明电路结构简单、效率高、瞬态响应快等优点。

公开(公告)号：CN112311211B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN202011138695.1

申请日：2020-10-22

Applicant: 浙江大学

Inventor： 曹海啸 ,  杨旭 ,  屈万园

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/088 ,  H02M1/32 ,  H03K17/082 ,  H01L29/778 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明公开了一种用于GaN HEMT功率器件的驱动控制芯片，通过采用压控电流源高边管栅极钳位技术，自适应调节自举充电路径的电流，防止自举电源轨超过GaN HEMF功率器件的栅源耐压，克服了高边管易损的难题。同时，本发明高低边管采用独立通道控制，从而根据应用准确的控制死区时间，减少高频下的死区损耗，提高系统效率。另外，本发明片内集成高压管开关，控制自举充电路径的开启或关闭，实现控制电路全集成，减少片外元件，提高系统集成度。

公开(公告)号：CN112311211A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202011138695.1

申请日：2020-10-22

Applicant: 浙江大学

Inventor： 曹海啸 ,  杨旭 ,  屈万园

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/088 ,  H02M1/32 ,  H03K17/082 ,  H01L29/778 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明公开了一种用于GaN HEMT功率器件的驱动控制芯片，通过采用压控电流源高边管栅极钳位技术，自适应调节自举充电路径的电流，防止自举电源轨超过GaN HEMF功率器件的栅源耐压，克服了高边管易损的难题。同时，本发明高低边管采用独立通道控制，从而根据应用准确的控制死区时间，减少高频下的死区损耗，提高系统效率。另外，本发明片内集成高压管开关，控制自举充电路径的开启或关闭，实现控制电路全集成，减少片外元件，提高系统集成度。

公开(公告)号：CN112532056A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202011348298.7

申请日：2020-11-26

Applicant: 浙江大学

Inventor： 郭吉放 ,  屈万园 ,  杨旭 ,  曹海啸

IPC: H02M3/158 ,  H02M1/088

Abstract: 本发明公开了一种基于压控延时线的DC‑DC电源补偿控制电路，分为补偿电路与延时线两部分，压控输出点连接延时线控制端，压控输出点为反馈电压经过补偿电路后的输出位置，延时线的外部接口包括外部时钟信号输入端、延时信号输出端、控制端，延时线的输入端接时钟信号，通过延时线完成将电压控制转换为时间控制的功能。同时，本发明以传统的Type III型电路补偿网络作为压控部分，输出控制电压，控制延时线延时大小，确保延时线输出与外部时钟相位差满足控制要求，即占空比满足当前状态要求，使得实现宽输出电压范围的前提下，而不影响稳定性；与传统控制模式相比，本发明电路结构简单、效率高、瞬态响应快等优点。