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公开(公告)号：CN113922095B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202111098385.6
申请日：2021-09-18
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种可调型吸透一体化共形频率选择表面，包括介质基板，若干频率选择表面单元周期性排布于介质基板表面，其中所述频率选择表面单元包括：选择性吸波层和选择性透波层分设于介质基板两侧表面，且在所述选择性吸波层、选择性透波层中均设置有可调PIN二极管；直流偏置电路，设于介质基板上用于调控可调PIN二极管；所述频率选择表面单元与介质基板共形。本发明的频率选择表面具有可调、可共形、角度和极化稳定、紧凑设计、宽带吸收和宽带透波等优点。其可通过设计的偏置电路调整PIN二极管通/断状态，使结构在中频透波、低频/高频吸波的性能与感兴趣的频段全部吸收的性能之间切换；其具有较好的角度稳定性和极化稳定性，可共形于圆柱面等多种共形结构上。
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公开(公告)号：CN114510892A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210087729.1
申请日：2022-01-25
Applicant: 浙江大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 本发明公开了一种模拟MOSFET器件总剂量效应的高性能仿真方法，并给出了总剂量效应作用下MOSFET器件内部和外部的电信息。该方法首先通过自由六面体网格对MOSFET器件的几何模型进行剖分；然后，采用控制体积有限元法(CVFEM)离散漂移‑扩散方程组，其中漂移‑扩散方程组的通量项通过六面体矢量基函数、有限差分法以及Scharfetter‑Gummel(SG)方法进行插值计算；最后，采用牛顿迭代法求解离散后的漂移‑扩散方程组，得到MOSFET器件内部的电势和载流子浓度场信息，后处理得到MOSFET器件的电流‑电压曲线。本发明的仿真方法具有高置信度、高数值精度、高数值稳定性和可扩展性等优点。可用于高效、高精度数值模拟MOSFET器件的总剂量等多物理效应，进而提高集成电路的性能、稳健性和可靠性。
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公开(公告)号：CN114421175A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210208275.9
申请日：2022-03-04
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种大入射角稳定的吸‑透一体化共形频率选择表面，包括周期性排布的若干频率选择单元，所述的频率选择单元包括：上层介质、下层介质；位于上下两层介质之间的空气层；频率选择吸波层，设置在上层介质的上表面；频率选择透波层，设置在下层介质的下表面。周期性单元和薄介质基板具有易弯曲的特点，可以根据需求自由调整表面弯曲程度，实现不超过四分之一柱面的共形弯曲。本发明的吸‑透一体化共形频率选择表面具有入射波极化和大入射角稳定、低插入损耗和高吸收率、频带易调整、易弯曲、可共形等优点，根据实际需求可调整特定结构参数，实现3‑11GHz工作频带的中频通带和带外低、高频段高吸波防护。
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公开(公告)号：CN113922095A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111098385.6
申请日：2021-09-18
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种可调型吸透一体化共形频率选择表面，包括介质基板，若干频率选择表面单元周期性排布于介质基板表面，其中所述频率选择表面单元包括：选择性吸波层和选择性透波层分设于介质基板两侧表面，且在所述选择性吸波层、选择性透波层中均设置有可调PIN二极管；直流偏置电路，设于介质基板上用于调控可调PIN二极管；所述频率选择表面单元与介质基板共形。本发明的频率选择表面具有可调、可共形、角度和极化稳定、紧凑设计、宽带吸收和宽带透波等优点。其可通过设计的偏置电路调整PIN二极管通/断状态，使结构在中频透波、低频/高频吸波的性能与感兴趣的频段全部吸收的性能之间切换；其具有较好的角度稳定性和极化稳定性，可共形于圆柱面等多种共形结构上。
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公开(公告)号：CN114595638A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210272439.4
申请日：2022-03-18
Applicant: 浙江大学
IPC: G06F30/27
Abstract: 本发明公开了一种数据驱动电磁系统中多物理场时域模型降阶方法。该方法创新在于首次将科学机器学习与模型降阶相结合，并用于解决电磁系统问题。首先通过正交投影(POD)方法，对数据集空间维度进行降阶，它可以实现超过三个数量级的数据量减少；然后，通过一种自适应帧选择方法，在时间维度对数据量进行缩减；然后，采用科学机器学习的数据驱动方法，从缩减后的数据集中学习得到新的模型。其中降阶模型可以代替全阶模型的不同应用，实现千倍以上的计算加速。本发明的方法具有高扩展、误差小特点，特别适用于小样本数据驱动情形，能大大提高电磁系统中多物理场的时域计算效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114510892B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202210087729.1
申请日：2022-01-25
Applicant: 浙江大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 本发明公开了一种模拟MOSFET器件总剂量效应的高性能仿真方法，并给出了总剂量效应作用下MOSFET器件内部和外部的电信息。该方法首先通过自由六面体网格对MOSFET器件的几何模型进行剖分；然后，采用控制体积有限元法(CVFEM)离散漂移‑扩散方程组，其中漂移‑扩散方程组的通量项通过六面体矢量基函数、有限差分法以及Scharfetter‑Gummel(SG)方法进行插值计算；最后，采用牛顿迭代法求解离散后的漂移‑扩散方程组，得到MOSFET器件内部的电势和载流子浓度场信息，后处理得到MOSFET器件的电流‑电压曲线。本发明的仿真方法具有高置信度、高数值精度、高数值稳定性和可扩展性等优点。可用于高效、高精度数值模拟MOSFET器件的总剂量等多物理效应，进而提高集成电路的性能、稳健性和可靠性。
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公开(公告)号：CN119363896A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411485362.4
申请日：2024-10-23
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及数字成像技术领域，具体公开了一种单光子摄影照相机，包括成像阵列，成像阵列由多个光子探测器组成，用于捕捉来自不同空间和时间信息的光子信号；还包括信号处理单元、控制单元、存储单元、加密传输单元和读取认证单元；信号处理单元将其原始信号转换为可识别的图像数据；控制单元用于对整个系统进行控制和协调，确保系统的稳定性和可靠性；存储单元用于将信号处理单元处理后的图像数据进行存储；加密传输单元用于将存储单元中的数据进行加密传输至外部设备；读取认证单元用于在读取图像数据时进行认证解锁。保证图像数据在传输过程中的安全性和稳定性，防止数据泄露，提高系统安全性，促进数据合规性。
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公开(公告)号：CN114582437B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202210236146.0
申请日：2022-03-11
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种二维过渡金属硫族化合物量子点的精确仿真方法，该方法采用紧束缚哈密顿量，对多种二维过渡金属硫族化合物量子点进行建模仿真，给出低温下自洽的量子点分立能级结构，指导自旋量子比特、能谷量子比特以及自旋‑能谷量子比特的设计优化。本发明能够为多种二维过渡金属硫族化合物的静电学量子点问题提供精确的仿真方法，实现低温下基于面内多栅极量子阱和异质结量子阱的二维材料量子点仿真设计优化与实验指导，量子点形态、尺寸、缺陷原子和磁场调控效应可以得到精确、高效的仿真结果，为量子比特的设计提供了高置信度仿真平台，具有全面、精确和高效的优势，在二维半导体材料量子计算领域具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN117275623A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311209374.X
申请日：2023-09-19
Applicant: 浙江大学 , 中国舰船研究设计中心
IPC: G16C60/00 , G06F30/23 , G06F119/08 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种异质集成结构中多物理耦合过程数值模拟方法，特别是针对阻变存储器件设计的仿真方法，给出了多物理耦合效应作用下异质集成结构的电‑热信息。该方法通过自由四面体网格对阻变存储器的几何模型进行剖分；再采用导电细丝机制对阻变存储器阻变层中不同金属氧化物材料进行物理建模；最后采用有限元方法对热传导方程、氧空穴输运方程、电流连续性方程进行离散求解，得到阻变存储器内部的温度和载流子浓度场信息，通过电阻定律计算阻变存储器的开关电阻比。本发明的仿真方法具有高置信度、高数值精度、高数值稳定性和可扩展性等优点。可用于高效、高精度数值模拟异质集成结构的多物理效应，进而提高集成电路的性能、稳健性和可靠性。
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公开(公告)号：CN114421175B
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202210208275.9
申请日：2022-03-04
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种大入射角稳定的吸‑透一体化共形频率选择表面，包括周期性排布的若干频率选择单元，所述的频率选择单元包括：上层介质、下层介质；位于上下两层介质之间的空气层；频率选择吸波层，设置在上层介质的上表面；频率选择透波层，设置在下层介质的下表面。周期性单元和薄介质基板具有易弯曲的特点，可以根据需求自由调整表面弯曲程度，实现不超过四分之一柱面的共形弯曲。本发明的吸‑透一体化共形频率选择表面具有入射波极化和大入射角稳定、低插入损耗和高吸收率、频带易调整、易弯曲、可共形等优点，根据实际需求可调整特定结构参数，实现3‑11GHz工作频带的中频通带和带外低、高频段高吸波防护。
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