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公开(公告)号：CN106646174A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610872855.2
申请日：2016-09-30
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2601 , G01R31/2603
Abstract: 本发明公开了一种应用于晶体管的高速三维电学特性测试系统，该系统包括数据反馈与处理器、波形处理器、宽频带拾捡三通装置、第一微波探针和第二微波探针。本发明的创新在于通过给晶体管的漏极施加阶梯变化的电压波形，并在每个阶梯电平中给晶体管的栅极施加一个脉冲电压信号，来进行一次晶体管转移特性测试，从而在100nS内测出晶体管的三维电学特性(IDS‑VGS‑VDS)、转移特性(IDS‑VGS)和输出特性(IDS‑VDS)。本发明系统可适用于以硅、锗、Ⅲ‑Ⅴ族化合物为载流子沟道的高性能平面晶体管，以及鳍式立体栅极、环栅(GAA)结构场效应晶体管的电学特性研究。
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公开(公告)号：CN106054054B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201610502727.9
申请日：2016-06-27
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种应用于半导体器件的皮秒级超快速电学特性测试的系统。该系统包括波形处理器、宽频带电压放大器、宽频带电压偏置器、宽频带拾捡三通装置、第一微波探针和第二微波探针。本发明的创新在于通过给电子器件施加皮秒级的脉冲序列波形，使电子器件处于类似CPU的真实工作环境中，测试出CPU中的电子器件在实际开关速度(100pS级别)下的电学特性。本发明系统可适用于以硅、锗、Ⅲ‑Ⅴ族化合物为载流子沟道的高性能平面晶体管，以及鳍式立体栅极、环栅(GAA)结构场效应晶体管的电学特性研究。
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公开(公告)号：CN106054054A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610502727.9
申请日：2016-06-27
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2621
Abstract: 本发明公开了一种应用于半导体器件的皮秒级超快速电学特性测试的系统。该系统包括波形处理器、宽频带电压放大器、宽频带电压偏置器、宽频带拾捡三通装置、第一微波探针和第二微波探针。本发明的创新在于通过给电子器件施加皮秒级的脉冲序列波形，使电子器件处于类似CPU的真实工作环境中，测试出CPU中的电子器件在实际开关速度(100pS级别)下的电学特性。本发明系统可适用于以硅、锗、Ⅲ‑Ⅴ族化合物为载流子沟道的高性能平面晶体管，以及鳍式立体栅极、环栅(GAA)结构场效应晶体管的电学特性研究。
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公开(公告)号：CN106646174B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201610872855.2
申请日：2016-09-30
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种应用于晶体管的高速三维电学特性测试系统，该系统包括数据反馈与处理器、波形处理器、宽频带拾捡三通装置、第一微波探针和第二微波探针。本发明的创新在于通过给晶体管的漏极施加阶梯变化的电压波形，并在每个阶梯电平中给晶体管的栅极施加一个脉冲电压信号，来进行一次晶体管转移特性测试，从而在100nS内测出晶体管的三维电学特性(IDS‑VGS‑VDS)、转移特性(IDS‑VGS)和输出特性(IDS‑VDS)。本发明系统可适用于以硅、锗、Ⅲ‑Ⅴ族化合物为载流子沟道的高性能平面晶体管，以及鳍式立体栅极、环栅(GAA)结构场效应晶体管的电学特性研究。
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