公开(公告)号：CN103397382B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201310356630.8

申请日：2013-08-16

Applicant: 济南大学

Inventor： 武卫兵 ,  刘宽菲 ,  张楠楠 ,  陈晓东 ,  陈宝龙

IPC: C30B29/16 ,  C30B19/00 ,  C30B29/62 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明属于半导体薄膜制备技术领域，尤其涉及一种氧化锌纳米棒阵列薄膜的制备方法。本发明的技术方案为：氧化锌纳米棒阵列薄膜的制备方法，包括以下步骤：1）采用高度（001）取向的ZnO作为种子层，将ZnO种子层放入硝酸锌（Zn(NO3)2）、聚乙烯亚胺（PEI）和六次甲基四胺（HMT）水溶液中外延生长得到（001）择优取向的超长ZnO纳米棒阵列薄膜；2）对薄膜进行快速退火处理，提高ZnO阵列薄膜光致发光性能。该技术能够实现ZnO纳米棒在高于100℃下的连续生长，高温生长条件改善了纳米棒的结晶质量，内部缺陷明显减少，具有优良的光电性能，更有利于在染料敏化太阳能电池、紫外探测器、场效应晶体管、发光二级管、纳米发电机等光电器件中的应用。

公开(公告)号：CN103397382A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310356630.8

申请日：2013-08-16

Applicant: 济南大学

Inventor： 武卫兵 ,  刘宽菲 ,  张楠楠 ,  陈晓东 ,  陈宝龙

IPC: C30B29/16 ,  C30B19/00 ,  C30B29/62 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明属于半导体薄膜制备技术领域，尤其涉及一种氧化锌纳米棒阵列薄膜的制备方法。本发明的技术方案为：氧化锌纳米棒阵列薄膜的制备方法，包括以下步骤：1）采用高度（001）取向的ZnO作为种子层，将ZnO种子层放入硝酸锌（Zn(NO3)2）、聚乙烯亚胺（PEI）和六次甲基四胺（HMT）水溶液中外延生长得到（001）择优取向的超长ZnO纳米棒阵列薄膜；2）对薄膜进行快速退火处理，提高ZnO阵列薄膜光致发光性能。该技术能够实现ZnO纳米棒在高于100℃下的连续生长，高温生长条件改善了纳米棒的结晶质量，内部缺陷明显减少，具有优良的光电性能，更有利于在染料敏化太阳能电池、紫外探测器、场效应晶体管、发光二级管、纳米发电机等光电器件中的应用。