公开(公告)号：CN115377235A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210813288.9

申请日：2022-07-12

申请人： 济南大学

发明人： 袁蓓蕾 ,  曹丙强

IPC分类号： H01L31/0336 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18 ,  C30B29/12 ,  C30B23/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/16 ,  C23C14/24 ,  C23C14/28

摘要： 本发明属于光伏器件技术领域，具体涉及一种太阳能电池及其制备方法。所述的太阳能电池为钙钛矿外延薄膜太阳能电池，包括硅衬底，硅衬底的一侧从下至上依次为钙钛矿外延薄膜、空穴传输层和正极；硅衬底的另一侧上方为负极；所述钙钛矿外延薄膜为ABX3型钙钛矿材料形成，其中A为金属Cs+，B为Pb2+，X为卤素阴离子Br‑。同时，本发明所述方法具有稳定性强、可大面积制备等优点，外延钙钛矿薄膜具有更长的载流子扩散距离、高的载流子迁移率、低的陷阱密度以及大幅抑制离子迁移性质等优点。同时，本发明中的钙钛矿外延薄膜太阳能电池能够在不使用电子传输层的前提下提高器件性能，为太阳能电池的设计和发展提供有价值的理论依据。

公开(公告)号：CN116722059A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310954373.1

申请日：2023-08-01

申请人： 济南大学

发明人： 周煜 ,  袁蓓蕾 ,  于颖 ,  曹丙强

IPC分类号： H01L31/032 ,  C30B29/12 ,  C30B23/02 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H01L31/072

摘要： 本发明提供了一种半导体CsPbX3薄膜材料及其制备方法、应用、太阳能电池，涉及半导体薄膜材料的技术领域，该半导体CsPbX3薄膜材料包括单晶硅衬底和生长在单晶硅衬底上的CsPbX3外延薄膜，其中，X包括卤素。本发明解决了现有技术中纯无机钙钛矿（CsPbX3）薄膜主要在绝缘衬底（例如SrTiO3）上实现外延生长，从而限制了无机钙钛矿薄膜在半导体器件领域内广泛应用的技术问题，达到了在非绝缘的单晶硅衬底上生长无机钙钛矿外延薄膜，使无机钙钛矿外延薄膜在半导体器件领域中具有更广泛应用的技术效果。