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公开(公告)号:CN106323952B
公开(公告)日:2019-04-02
申请号:CN201610935907.6
申请日:2016-11-01
Applicant: 济南大学
IPC: G01N21/76 , G01N27/327 , G01N33/53
Abstract: 本发明涉及电致化学发光免疫传感器技术领域,特别是涉及一种以硫化镉和二硫化钼纳米复合物(CdS/MoS2)为发光材料和基底材料,以过硫酸钾和过氧化氢为双共反应剂增强发光强度的免疫传感器的制备方法及应用。将CdS和MoS2两种带隙相近的半导体纳米材料复合,可以提高导电效率和电子‑空穴分离效率;K2S2O8和H2O2作为双共反应剂可以发挥协同效应,提高传感器的发光强度、增强稳定性。基于抗原抗体之间的特异性结合,该传感器用于检测原降钙素(PCT),根据不同浓度的PCT对电子传递阻碍程度不同,从而使得传感器电致化学发光强度不同,实现PCT的检测。
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公开(公告)号:CN106323952A
公开(公告)日:2017-01-11
申请号:CN201610935907.6
申请日:2016-11-01
Applicant: 济南大学
IPC: G01N21/76 , G01N27/327 , G01N33/53
CPC classification number: G01N21/76 , G01N27/3278 , G01N33/53
Abstract: 本发明涉及电致化学发光免疫传感器技术领域,特别是涉及一种以硫化镉和二硫化钼纳米复合物(CdS/MoS2)为发光材料和基底材料,以过硫酸钾和过氧化氢为双共反应剂增强发光强度的免疫传感器的制备方法及应用。将CdS和MoS2两种带隙相近的半导体纳米材料复合,可以提高导电效率和电子-空穴分离效率;K2S2O8 和 H2O2作为双共反应剂可以发挥协同效应,提高传感器的发光强度、增强稳定性。基于抗原抗体之间的特异性结合,该传感器用于检测原降钙素(PCT),根据不同浓度的PCT对电子传递阻碍程度不同,从而使得传感器电致化学发光强度不同,实现PCT的检测。
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