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公开(公告)号:CN1682324B
公开(公告)日:2010-06-23
申请号:CN03821242.0
申请日:2003-09-03
Applicant: 泰科电子雷伊化学株式会社
CPC classification number: H01C1/144 , H01C1/1406
Abstract: 本发明提供一种能够避免在铆接、钎焊的连接法中存在的问题的聚合物PTC器件与金属引线元件之间的新的电连接法。因此,本发明是一种使用激光焊接,制造具有(A)(i)具有在层状聚合物PTC元件(12)及(ii)配置在层状聚合物PTC元件(12)的主表面上的金属箔电极(14)的PTC器件(10),以及(B)与金属箔电极电连接的金属引线元件(20)而成的连接结构体的方法,提供一种其金属箔电极(14)至少由2个金属层形成,在最远离层状聚合物PTC元件(12)处的金属箔电极的金属层(第一层:激光吸收率(b%)(18)与层状聚合物PTC元件(12)之间,存在在金属箔电极(14)的金属层中激光吸收率最小的金属层(第X层:激光吸收率(a%)、b>a)(16)的方法。
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公开(公告)号:CN1682324A
公开(公告)日:2005-10-12
申请号:CN03821242.0
申请日:2003-09-03
Applicant: 泰科电子雷伊化学株式会社
IPC: H01C7/02
CPC classification number: H01C1/144 , H01C1/1406
Abstract: 本发明提供一种能够避免在铆接、钎焊的连接法中存在的问题的聚合物PTC器件与金属引线元件之间的新的电连接法。因此,本发明是一种使用激光焊接,制造具有(A)(i)具有在层状聚合物PTC元件(12)及(ii)配置在层状聚合物PTC元件(12)的主表面上的金属箔电极(14)的PTC器件(10),以及(B)与金属箔电极电连接的金属引线元件(20)而成的连接结构体的方法,提供一种其金属箔电极(14)至少由2个金属层形成,在最远离层状聚合物PTC元件(12)处的金属箔电极的金属层(第一层:激光吸收率(b%)(18)与层状聚合物PTC元件(12)之间,存在在金属箔电极(14)的金属层中激光吸收率最小的金属层(第X层:激光吸收率(a%)、b>a)(16)的方法。
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