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公开(公告)号：CN118996598A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411136551.0
申请日：2024-08-19
Applicant: 河南省科研平台服务中心 , 郑州大学
Abstract: 本发明涉及金刚石制备技术领域，尤其涉及一种钴触媒高氮大尺寸单晶金刚石的制备方法。本发明提供了一种钴触媒高氮大尺寸单晶金刚石的制备方法，采用金属钴做为触媒，进行单晶金刚石的合成。相对于传统的合金触媒，Co的溶氮能力较弱，使得合成腔体中的更多的氮进入到金刚石晶格中，对金刚石晶格中的C进行取代，从而提高单晶金刚石的含氮量。
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公开(公告)号：CN119100794A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411441957.X
申请日：2024-10-16
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , C04B35/645 , H10N10/852
Abstract: 本发明适用于热电材料技术领域，提供了一种β‑SrZrS3热电转换块体材料的制备方法，包括以下步骤：将SrZrO3粉末进行硫化反应，得到β‑SrZrS3粉末；将β‑SrZrS3粉末进行快速热压烧结成块得到β‑SrZrS3热电转换块体材料。本发明提供的制备方法，具有低成本、简单、快速的优势，可实现SrZrS3块材的批量化合成、缩短合成周期，制备得到的β‑SrZrS3热电转换块体材料物相纯、成分分布均匀、致密度高，使用的原材料是廉价、无毒、无需惰性保存环境的SrZrO3粉末，使用真空管式炉和快速热压炉，通过硫化反应和热压烧结进行制备，并且由于原材料、制备过程、目标产物符合环境友好的要求，本发明实施例提供的制备方法可直接拓展至钙钛矿硫化物热电转换应用的开发，为新型热电体系的开发提供了新途径。
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公开(公告)号：CN109692955A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201910163057.6
申请日：2019-03-04
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明属于硬质合金材料制备技术领域，具体涉及一种纯碳化钨硬质合金制备方法，结合放电等离子体烧结方法，调节具体烧结工艺，整个烧结周期控制在40-60min内完成，保证碳化钨晶粒维持初始状态，得到高致密度的纯碳化钨硬质合金材料；以微米级的碳化钨粉末单组分相烧结，不添加任何金属粘结剂或非金属添加物等，得到的碳化钨硬质合金致密度高达到99％左右，密度在15.4g/cm3左右,维氏硬度能够达到2600-2700HV，弯曲强度达到1400-1500MPa，压缩强度达到8000MPa。因此，本发明的纯碳化钨硬质合金适于制成粉末成型用模具、热加工模具、耐磨部件、超精密机械部件、机加工刀具等，尤其适于对耐高温性能要求高、高温下不脱落的精密加工模具、光学玻璃和透镜加工模具。
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公开(公告)号：CN119433705A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411641154.9
申请日：2024-11-18
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明适用于金刚石单晶制备技术领域，提供了一种椭球形大尺寸金刚石单晶的制备方法，包括以下步骤：使用大尺寸棱角分明的金刚石单晶作为晶体；置于高压组装块中，烘干；将高压组装块置于六面顶压机装置的腔体中，进行溶蚀操作，压力为3‑6 GPa、温度为1200‑2000 ℃，时间为5min‑48 h；结束后将晶体取出，去除表面的杂质，再清洗，得到椭球形大尺寸金刚石单晶。本发明通过六面顶高压设备对掩埋于金属触媒中的大尺寸金刚石进行处理，利用温度与保温时间的调控可实现不同尺寸的从棱角分明的晶体→略微圆化→类球形→椭球形的金刚石单晶的制备，简单易操作，解决了大尺寸椭球型金刚石单晶制备的技术问题，且生产成本低，具有较好的重复性，能够满足批量化生产要求。
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公开(公告)号：CN119433267A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411581921.1
申请日：2024-11-07
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明公开了一种自支撑金刚石聚晶体材料及其制备方法和应用，属于非金属材料技术领域。本发明提供的自支撑金刚石聚晶体材料的制备方法为：以钴为粘结剂，将50μm～900μm的金刚石颗粒在1390℃～1420℃和5.7GPa～6.0GPa下进行烧结，烧结过程中，金刚石颗粒之间进行二次生长，烧结完成后去除杂质得到自支撑金刚石聚晶体材料。本发明以50μm～900μm的金刚石颗粒为原料，在高温高压的条件下制备得到自支撑金刚石聚晶体材料，本发明的方法具有简单，成本低，易于规模化生长的优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118773734A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410867272.5
申请日：2024-07-01
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明公开了一种金刚石单晶同质键合的方法，属于半导体技术领域，所述一种金刚石单晶同质键合的方法包括以下步骤，获取至少两片金刚石单晶片，在金刚石单晶片的表面镀上一层键合镀膜层，将至少两片金刚石单晶片对齐，并用包裹件对至少两片金刚石单晶片进行包裹，将包裹好的至少两片金刚石单晶片放置于六面顶压机上进行键合处理，具有成本低、易操作、尺寸灵活调控、平整度要求低、压力可控范围广、温度调节范围广以及拓展应用材料的范围广的优点。
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公开(公告)号：CN113511897B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110450264.7
申请日：2021-04-25
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , H01L35/16 , H01L35/34
Abstract: 本发明属于热电材料制备技术领域，具体公开一种Bi2S3块体热电材料及其高压制备方法，是以Bi粉、S粉为原料，利用高温高压快速合成Bi2S3相，再将所述Bi2S3相粉碎后进行放电等离子体烧结制得。本发明提供的高压制备技术可以实现Bi2S3基块体材料的快速制备，提高合成效率，并有效提高材料的热电性能。
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公开(公告)号：CN118880472A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410939571.5
申请日：2024-07-15
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明公开了一种CVD金刚石片内部应力的消除方法，属于金刚石晶体制备技术领域，所述一种CVD金刚石片内部应力的消除方法包括获取至少一片CVD金刚石片，利用包裹件对至少一片CVD金刚石片进行单独包裹，对至少一片CVD金刚石片进行组装，得到组装块，将组装块放置于国产六面顶压机上进行应力消除处理，具有应力一次直接消除、应力消除效果好、时间短、成本低、易操作和应用范围广的优点。
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公开(公告)号：CN117219956A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310773701.8
申请日：2023-06-28
Applicant: 郑州大学
IPC: H01M50/403 , H01M50/451 , H01M50/491 , H01M50/431 , H01M10/054 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明钠离子电池负极材料技术领域，公开了一种纳米金刚石多孔聚丙烯隔膜及其制备方法和应用，所述制备方法为：将二维金刚石分散于乙醇中，获得溶液A；将氨基偶联剂分散于水中后，滴加冰醋酸至体系澄清透明，获得溶液B；将溶液B滴加于溶液A中搅拌，固液分离，洗涤干燥，获得改性纳米金刚石；将改性纳米金刚石于380～420℃下进行氧化后，与PVDF混匀，加入NMP研磨，获得混合浆料；将混合浆料涂覆于聚丙烯隔膜上，干燥，获得纳米金刚石多孔聚丙烯隔膜。本发明制备成本低且工艺简单、有利于工业化推广使用；且制备的纳米金刚石多孔聚丙烯隔膜用于钠金属负极对称电池中，能够有效提高钠金属负极的沉积过电势以及循环稳定性。
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公开(公告)号：CN117123776A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310606913.7
申请日：2023-05-26
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明属于无机金属基复合材料领域，公开了一种铜/硅镀覆金刚石复合导热材料及其制备方法。包括以下步骤：S1、将金刚石和硅粉进行研磨混合后置于模具中，真空条件下采用放电等离子体烧结得到表面有碳化硅镀层的金刚石颗粒；S2、将S1得到的碳化硅镀层的金刚石颗粒和铜粉研磨混合后置于模具中，真空条件下采用放电等离子体烧结得到铜/硅镀覆金刚石复合导热材料。本发明利用纯硅粉和微米金刚石颗粒作为前驱物，经真空放电等离子体烧结过程时硅与金刚石表面的碳原子发生原位化学反应，在金刚石表面生成碳化硅镀覆层，改善金刚石与铜金属基体之间的不浸润性，制成的铜/硅镀覆金刚石复合导热材料具有较高的热导率。
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