-
公开(公告)号：CN102703856B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201210155586.X
申请日：2012-05-18
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明公开了一种制备薄膜电极的辅助装置，包括底盘，底盘具有用于支撑上下叠加设置的掩膜板和衬底的支撑端面，底盘上还设置有用于对掩膜板施加朝向衬底压紧的压紧力的压紧机构，所述压紧机构包括用于压装在掩膜板上的压片夹以及向下穿过压片夹后螺纹旋入底盘内的将压片夹与底盘固连的控位螺钉，所述底盘具有供所述控位螺钉旋入的控位螺孔，所述压片夹具有供所述控位螺钉穿过的导向孔。通过旋拧控位螺钉就能使压片夹压紧掩膜板，进而控制掩膜板与衬底的压紧程度，使掩膜板与衬底充分紧密接触，从而避免了薄膜电极在制备过程中电极点粘接和薄膜电极厚度不均现象的发生，为制备出高质量的薄膜电极提供了有力的保证。
-
公开(公告)号：CN119173130A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411326708.6
申请日：2024-09-23
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明提出了一种生物材料阻变存储器和其制备方法及应用，所述的生物材料阻变存储器通过由荷叶粉末与介质制成的前驱体溶液沉积在衬底上成膜后烘干成薄膜，并在薄膜上溅射沉积Ag制成。本发明通过荷叶粉末与介质制成薄膜即荷叶复合膜，再将荷叶复合膜制成阻变存储器，天然荷叶中具有稳定的双极性阻变以及稳定的负微分电阻（NDR）效应和电容效应等，使得该生物材料阻变存储器具有稳定的双极性阻变、稳定的负微分电阻（NDR）效应和电容效应。
-
公开(公告)号：CN109980083B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201910310305.5
申请日：2019-04-17
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明提供一种细丝机制小面积电极的阻变存储器及其制备方法，阻变存储器的结构从上到下依次是多个上电极，绝缘介质薄膜，阻变层薄膜，下电极层，衬底层，其中下电极层与阻变层为欧姆接触，绝缘介质薄膜的热击穿电压ET1小于阻变层薄膜ET2。通过形成导电通路有效面积缩小上电极与阻变材料的接触面积，从而实现操作电流/电压的缩小。且该结构对电极材料的选择是否能够与阻变层接触直接形成欧姆接触无要求，能够实现电极通路产生位置的控制。
-
公开(公告)号：CN109994605A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910309479.X
申请日：2019-04-17
Applicant: 河南大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种阻变存储器及其制备方法,该阻变存储器从上到下依次是多个上电极，热导率低的绝缘介质层，阻变层，多个下电极层；其中下电极层与阻变层为欧姆接触，绝缘介质薄膜的热击穿电压ET1小于阻变层薄膜的热击穿电压ET2，阻变层需要施加触发电压ETC将阻变层材料的电阻开关功能触发,使阻变层位于高阻态或低阻值态，其中ETC＜ET2，未触发和疲劳时的阻变层为绝缘介质层，本发明得到很小的实际电极，降低了成本，优化了器件，在操作电流/电压大大减小的同时还使阻变存储器的性能参数更加集中，减小波动。该存储器结构解决了目前的当存储器电极下的阻变材料局部失效时，不能够再次利用该电极的问题。
-
公开(公告)号：CN109980083A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910310305.5
申请日：2019-04-17
Applicant: 河南大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种细丝机制小面积电极的阻变存储器及其制备方法，阻变存储器的结构从上到下依次是多个上电极，绝缘介质薄膜，阻变层薄膜，下电极层，衬底层，其中下电极层与阻变层为欧姆接触，绝缘介质薄膜的热击穿电压ET1小于阻变层薄膜ET2。通过形成导电通路有效面积缩小上电极与阻变材料的接触面积，从而实现操作电流/电压的缩小。且该结构对电极材料的选择是否能够与阻变层接触直接形成欧姆接触无要求，能够实现电极通路产生位置的控制。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118146796A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410150575.5
申请日：2024-02-02
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明属于钙钛矿量子点制备技术领域，公开了一种青色发光EDBE‑CsPbCl0.9Br2.1纳米片的制备方法，包括以下步骤：获取CsPbBr3纳米片溶液；将氯化铅、2,2'‑(乙烯二氧)双乙胺氢氯酸盐、油酸和十八烷加入反应器中，真空加热至130ºC，搅拌1 h，直到完全溶解，得到混合溶液；将混合溶液添加到CsPbBr3纳米片溶液中，搅拌30 min，待阴离子交换反应完成后得到EDBE‑CsPbCl0.9Br2.1纳米片。本发明采用阴离子配体交换法，获得EDBE‑CsPbCl0.9Br2.1纳米片，其荧光发射波长为483 nm，弥补白光LED中出现的“青色缺失”现象。
-
公开(公告)号：CN111969067A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010702417.8
申请日：2020-07-21
Applicant: 河南大学
IPC: H01L29/786 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于电子材料与元器件领域，具体涉及一种氧化铟薄膜晶体管及其制备方法。从下至上包括衬底、栅电极、绝缘层、氧化铟有源层、源漏电极、电子受体薄膜。所述电子受体薄膜为有机材料或无机材料，当电子受体薄膜为有机材料时，还可以在电子受体薄膜上增加氧化铝钝化层。本发明无需在氧化铟有源层中引入杂质离子，即可调控其本征电子浓度，使薄膜晶体管保持了较高的迁移率。本发明制备工艺简单、成本低廉、条件易控制、易于大面积批量生产。
-
公开(公告)号：CN109950395B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201910309498.2
申请日：2019-04-17
Applicant: 河南大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种基于仅存在氧空位的SrTiO3(STO)单晶衬底均匀体限制型阻变存储器及其制备方法，该存储器的结构以STO单晶为衬底，在其上表面的中央局部退火形成缺氧区域，缺氧区域侧面和底面未退火的STO单晶材料构成包围区域；完成局部退火的上表面具有与缺氧区域欧姆接触的上电极结构层，STO单晶衬底未掺杂的粗糙下表面沉积有下电极层；该存储器能够有效的杜绝于氧化环境中氧原子扩散进入STO内，提高该阻变存储器的保持特性。
-
公开(公告)号：CN111092146A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201910604684.9
申请日：2019-07-05
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明提供了一种PBCO超导薄膜及其制备方法，所述超导薄膜以Nb:SrTiO3 (NSTO) 单晶为衬底，利用脉冲激光沉积工艺沉积PrBa2Cu3O7 (PBCO) 薄膜，降温至10 K以下，进行超导触发，将衬底剥离，得到PBCO超导薄膜，超导薄膜呈外延生长，厚度为20~50 nm。本发明对PBCO/NSTO异质结构进行电触发，在电触发的作用下控制注入载流子通过PBCO/NSTO异质结构，从而实现材料从非超导向超导转变。PBCO薄膜的超导转变温度Tc可以通过注入电流调节，Tc随着注入电流的增大而增大。本发明制备出的PBCO为单晶外延薄膜，具有晶格失配小，晶格缺陷少，性能稳定等优点。
-
公开(公告)号：CN105355782B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201510677033.4
申请日：2015-10-19
Applicant: 河南大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种具有稳定光电双控性能的氧化镍‑铌钛酸锶（NiO/Nb:SrTiO3）结在多级阻变存储器方面的应用，属于半导体非易失性存储技术领域。本发明的阻变材料是NiO/Nb:SrTiO3P‑N结，所述存储器由P型氧化镍（NiO）薄膜、N型掺铌碳酸锶（Nb:SrTiO3）基底，铟（In）上、下电极组成。本发明提供的具有稳定光电双控性能的多级阻变存储器，具有良好的稳定性，耐疲劳，能反复循环使用。无论单电源，单光源还是光电双控都能使其工作，是一种光源和电源均可触发的高开关比的多级阻变存储器。在不方便连接电源的场合（如野外，宇宙空间等）可以仅依靠光源触发。由于其高开关比和优良的稳定性，所以在使用过程中，有效地避免了误操作现象的出现。原料全部采用氧化物，制备温度低，工艺简单，节能环保，应用场合广泛。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.016 seconds)
