公开(公告)号：CN116669527A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310594754.3

申请日：2023-05-25

Applicant: 河南大学

Inventor： 王冰 ,  张云庚 ,  金超

IPC: H10N50/20 ,  H10N50/85 ,  H10B61/00 ,  G11C11/16

Abstract: 一种基于电场实现非易失磁存储的自旋电子器，包括由二维单层In2Se3与二维单层FeCl2构成的双分子层范德华多铁异质结，通过电场方向实现双分子层二维FeCl2/In2Se3异质结中磁结构、磁各向异性和净磁化强度的三重调控，范德华多铁异质结只在自旋向下通道中导电，可以实现对载流子通道的稳定滤波。双分子层FeCl2/In2Se3范德华多铁异质结中，FeCl2的半金属行为是固有的，不依赖于极化电场的方向，实现了载波通道的稳定性滤波。

公开(公告)号：CN116646415A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310595227.4

申请日：2023-05-25

Applicant: 河南大学

Inventor： 张云庚 ,  王冰 ,  王希波

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0336

Abstract: 一种能带可调的柔性光电探测器，包含依次设置于柔性绝缘衬底上的底面反射电极层、N型GAN层，P型GAN层，单层二维GdClBr层和金属上电极层，其中金属上电极层设置于P型GAN层的边缘。GaN具有宽禁带性能，可对紫外波段进行吸收，单层二维GdClBr可以对红外波段的光进行探测，通过弯曲能够改变单层二维GdClBr的带隙，增大了红外波段的探测范围。

公开(公告)号：CN115000212A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210659512.3

申请日：2022-06-13

Applicant: 河南大学

Inventor： 王冰 ,  史菩圆 ,  侯立芃 ,  贾朝斌 ,  苏靖娟

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种二维直接带隙半导体探测器，其特征在于，所述二维直接带隙半导体探测器为Ag/In2(PS3)3肖特基光电探测器；所述的探测器的结构为绝缘衬底、在绝缘衬底上制作底电极，底电极上方是通过定点转移的单层二维In2(PS3)3层、在In2(PS3)3的正上方是顶电极。对二维In2(PS3)3层施加压缩应变和拉伸应变分别增加和减小二维In2(PS3)3层的带隙，双轴压缩应变会增大带隙最高可达1.81eV，双轴拉伸应变会减小带隙最小1.3eV，较宽的带隙变化范围能够增大探测光波段的范围。

公开(公告)号：CN115000212B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202210659512.3

申请日：2022-06-13

Applicant: 河南大学

Inventor： 王冰 ,  史菩圆 ,  侯立芃 ,  贾朝斌 ,  苏靖娟

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种二维直接带隙半导体探测器，其特征在于，所述二维直接带隙半导体探测器为Ag/In2(PS3)3肖特基光电探测器；所述的探测器的结构为绝缘衬底、在绝缘衬底上制作底电极，底电极上方是通过定点转移的单层二维In2(PS3)3层、在In2(PS3)3的正上方是顶电极。对二维In2(PS3)3层施加压缩应变和拉伸应变分别增加和减小二维In2(PS3)3层的带隙，双轴压缩应变会增大带隙最高可达1.81eV，双轴拉伸应变会减小带隙最小1.3eV，较宽的带隙变化范围能够增大探测光波段的范围。