硼掺杂α-Ni(OH)2及其制备方法、用途

    公开(公告)号:CN103979615A

    公开(公告)日:2014-08-13

    申请号:CN201410173459.1

    申请日:2014-04-28

    Applicant: 河南大学

    CPC classification number: Y02E60/13

    Abstract: 本发明属于电化学、储能及无机材料技术领域,公开了一种硼掺杂α-Ni(OH)2及其制备方法、用途。硼掺杂α-Ni(OH)2是由纳米片相互交叠组装而成的花状多孔球。将镍源和P123混合并溶解在水中,分两次加入硼源,第一次加入后室温下搅拌至少2h,然后第二次加入,搅拌至少200min,过滤,干燥,得到硼掺杂的α-Ni(OH)2材料。本发明的优点是制备方法简单,制备的硼掺杂α-Ni(OH)2比表面高,可达400m2/g;在充放电电流为3A/g时,比电容高达~2296F/g,甚至经过2000次循环后,当电流密度为28.6A/g,比电容也没有明显的衰减,在电化学应用领域有较好的应用前景。

    硼掺杂α-Ni(OH)2及其制备方法、用途

    公开(公告)号:CN103979615B

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201410173459.1

    申请日:2014-04-28

    Applicant: 河南大学

    CPC classification number: Y02E60/13

    Abstract: 本发明属于电化学、储能及无机材料技术领域,公开了一种硼掺杂α-Ni(OH)2及其制备方法、用途。硼掺杂α-Ni(OH)2是由纳米片相互交叠组装而成的花状多孔球。将镍源和P123混合并溶解在水中,分两次加入硼源,第一次加入后室温下搅拌至少2h,然后第二次加入,搅拌至少200min,过滤,干燥,得到硼掺杂的α-Ni(OH)2材料。本发明的优点是制备方法简单,制备的硼掺杂α-Ni(OH)2比表面高,可达400m2/g;在充放电电流为3A/g时,比电容高达~2296F/g,甚至经过2000次循环后,当电流密度为28.6A/g,比电容也没有明显的衰减,在电化学应用领域有较好的应用前景。

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