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公开(公告)号：CN117607213A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311276169.5
申请日：2023-09-29
Applicant: 河南大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开一种氢气传感器及其制备方法，涉及传感器件技术领域，其中，氢气传感器由下至上依次包括：半导体基底、图案化绝缘层、氢敏金属层，该图案化绝缘层的镂空部分露出半导体基底。该氢气传感器通过在半导体基底和氢敏金属层之间形成图案化绝缘层，从而暴露部分半导体基底，使其和氢敏金属层形成肖特基接触，进而调整金属与半导体之间的势垒高度，使得该势垒高度介于无绝缘层的肖特基二极管氢气传感器和绝缘层全覆盖的半导体氢气传感器之间，因此，相比于无绝缘层的肖特基二极管氢气传感器具有更高的灵敏度，相比于绝缘层全覆盖的半导体氢气传感器具有更高的电流分辨率。
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