公开(公告)号：CN118102859A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410226741.5

申请日：2024-02-29

Applicant: 河南农业大学

Inventor： 王栋 ,  裴琪 ,  王天汉 ,  陈宝仪 ,  郭容男 ,  张倩 ,  夏月庆 ,  肖亚涛 ,  袁志华

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本发明提出了一种二维SnS/SnSe垂直异质结忆阻器及其制备方法，属于微电子器件的技术领域。二维SnS/SnSe垂直异质结忆阻器自下而上包括衬底、底电极层、二维材料异质结层及顶电极层，所述二维材料异质结层为二维SnS层和SnSe层组成的SnS/SnSe异质结，二维SnS层位于靠近底电极层的一侧。本发明SnS/SnSe垂直忆阻器拥有异质结构，忆阻器功能层由两不同材料构成，在性能上有着更低的开关电压(2V)较大的开关比，较好的循环稳定性，在循环一百次后仍能保持稳定的忆阻性能，本异质结忆阻器相对于单一材料的忆阻器，导通时更加稳定，循环性能更好。