一种细晶碳化硼陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN105924175B

    公开(公告)日:2019-02-12

    申请号:CN201610250599.3

    申请日:2016-04-21

    Abstract: 本发明涉及一种细晶碳化硼陶瓷及其制备方法,属于陶瓷材料技术领域。该细晶碳化硼陶瓷平均晶粒尺寸小于1μm,且相对密度在98%以上,维氏硬度在38GPa以上,断裂韧性在4.9MPa.m1/2以上,其制备方法是以硼粉和碳粉为原料,经过机械化学处理后所得粉体制成胚体,所述胚体外部包裹自蔓延体系的反应原料,通过自蔓延高温快速加压烧结技术得到细晶碳化硼陶瓷。本发明所制备的碳化硼陶瓷拥有晶粒尺寸小、密实度高、韧性高、硬度高的优点;同时该工艺路径工艺简单、产量高、耗时短、对原料粒径大小要求不高,因此成本较低,有利于工业化生产。

    一种具有纳米-亚微米尺度硼化锆添加相的碳化硼复合陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN105948752B

    公开(公告)日:2018-09-11

    申请号:CN201610297343.8

    申请日:2016-05-06

    Abstract: 本发明涉及一种具有纳米‑亚微米尺度硼化锆添加相的碳化硼复合陶瓷及其制备方法,属于陶瓷材料技术领域。该复合陶瓷重量百分比计,包括碳化硼70‑95%,硼化锆30‑5%,其中硼化锆的晶粒尺寸在1μm以下,相对密度99%以上,维氏硬度34‑38GPa,断裂韧性6.8‑7.5MPa.m1/2,抗弯强度520‑600MPa,它由原料碳化硼、碳化锆和硼三元混合粉体经低压慢速‑高压快速分段式固相反应烧结工艺制备而成,所述原料按重量百分比计,包括碳化硼55.13%‑92.52%,碳化锆27.35%‑4.56%,硼17.52%‑2.92%。本发明可在较低温度下通过固相反应烧结制备出具有高韧性、高硬度和较好导电性能的可加工碳化硼‑碳化锆复合陶瓷,从而解决碳化硼‑硼化锆复合陶瓷烧结温度过高、添加相晶粒过大的缺点。

    一种细晶碳化硼陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN105924175A

    公开(公告)日:2016-09-07

    申请号:CN201610250599.3

    申请日:2016-04-21

    Abstract: 本发明涉及一种细晶碳化硼陶瓷及其制备方法,属于陶瓷材料技术领域。该细晶碳化硼陶瓷平均晶粒尺寸小于1μm,且相对密度在98%以上,维氏硬度在38GPa以上,断裂韧性在4.9MPa.m1/2以上,其制备方法是以硼粉和碳粉为原料,经过机械化学处理后所得粉体制成胚体,所述胚体外部包裹自蔓延体系的反应原料,通过自蔓延高温快速加压烧结技术得到细晶碳化硼陶瓷。本发明所制备的碳化硼陶瓷拥有晶粒尺寸小、密实度高、韧性高、硬度高的优点;同时该工艺路径工艺简单、产量高、耗时短、对原料粒径大小要求不高,因此成本较低,有利于工业化生产。

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