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公开(公告)号:CN106704391A
公开(公告)日:2017-05-24
申请号:CN201710034499.1
申请日:2017-01-18
Applicant: 河北工程大学
IPC: F16C43/04
Abstract: 本发明涉及一种用于圆锥滚子轴承装配的生产线,其包括装配台、液压机、第一气动滑轨、翻转装置、第一清洗装置、第二清洗装置、第一防错装装置、第二防错装装置和去磁装置,液压机通过螺栓连接的方式固设于装配台的下游,第一气动滑轨通过螺栓固设于工作台的上表面,第一气动滑轨的一端与液压机的出料口相邻,翻转装置位于液压机的出料口的下游,第一清洗装置位于翻转装置的下游,第二清洗装置位于第一清洗装置的下游,第一防错装装置位于第二清洗装置的下游,第二防错装装置位于第一防错装装置的下游,去磁装置位于第二防错装装置的下游。
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公开(公告)号:CN106806898A
公开(公告)日:2017-06-09
申请号:CN201510868716.8
申请日:2015-12-01
Applicant: 河北工程大学
IPC: A61K47/54 , A61K47/52 , A61K49/18 , A61K31/704 , A61P35/00
CPC classification number: A61K31/704 , A61K31/282 , A61K31/337 , A61K31/513 , A61K31/675 , A61K31/7024 , A61K31/7068 , A61K33/24 , A61K49/1821 , A61K49/183
Abstract: 本发明公开了一种叶酸靶向磁功能化二硫化钼药物载体及其制备方法。本发明首先通过化学共沉淀法将MFe2O4(M=Fe、Co和Ni)磁性纳米粒子修饰在二硫化钼纳米片表面,继而对磁性二硫化钼纳米片进行氨基功能化改性,然后以叶酸为靶向生物分子利用羧基和氨基形成酰胺键的反应对其进行靶向修饰,最后负载抗肿瘤药物制备而成,本发明具有操作过程可控、反应条件温和易于规模化生产的优点,本发明显著提高了抗肿瘤药物的载药量、血液半衰期和平均滞留时间,同时基于该纳米复合材料的药物传输体系可以靶向到达并富集在病灶部位,药物缓慢释放且智能可控,从而达到降低抗肿瘤药物毒副作用、提高病变部位的药物浓度和增强抗肿瘤疗效的目的。
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公开(公告)号:CN106704391B
公开(公告)日:2018-10-12
申请号:CN201710034499.1
申请日:2017-01-18
Applicant: 河北工程大学
IPC: F16C43/04
Abstract: 本发明涉及一种用于圆锥滚子轴承装配的生产线,其包括装配台、液压机、第一气动滑轨、翻转装置、第一清洗装置、第二清洗装置、第一防错装装置、第二防错装装置和去磁装置,液压机通过螺栓连接的方式固设于装配台的下游,第一气动滑轨通过螺栓固设于工作台的上表面,第一气动滑轨的一端与液压机的出料口相邻,翻转装置位于液压机的出料口的下游,第一清洗装置位于翻转装置的下游,第二清洗装置位于第一清洗装置的下游,第一防错装装置位于第二清洗装置的下游,第二防错装装置位于第一防错装装置的下游,去磁装置位于第二防错装装置的下游。
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公开(公告)号:CN106806897A
公开(公告)日:2017-06-09
申请号:CN201510867540.4
申请日:2015-12-01
Applicant: 河北工程大学
Abstract: 本发明公开了一种叶酸靶向磁功能化二硫化钨药物载体及其制备方法。本发明首先通过化学共沉淀法将MFe2O4(M=Fe、Co和Ni)磁性纳米粒子修饰在二硫化钨纳米片表面,继而对磁性二硫化钨纳米片进行氨基功能化改性,然后以叶酸为靶向生物分子利用羧基和氨基形成酰胺键的反应对其进行靶向修饰,最后负载抗肿瘤药物制备而成,本发明具有操作过程可控、反应条件温和易于规模化生产的优点,本发明显著提高了抗肿瘤药物的载药量、血液半衰期和平均滞留时间,同时基于该纳米复合材料的药物传输体系可以靶向到达并富集在病灶部位,药物缓慢释放且智能可控,从而达到降低抗肿瘤药物毒副作用、提高病变部位的药物浓度和增强抗肿瘤疗效的目的。
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公开(公告)号:CN206397953U
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:CN201720056694.X
申请日:2017-01-18
Applicant: 河北工程大学
IPC: F16C43/04
Abstract: 本实用新型涉及用于圆锥滚子轴承装配的生产线,其包括装配台、液压机、第一气动滑轨、翻转装置、第一清洗装置、第二清洗装置、第一防错装装置、第二防错装装置和去磁装置,液压机通过螺栓连接的方式固设于装配台的下游,第一气动滑轨通过螺栓固设于工作台的上表面,第一气动滑轨的一端与液压机的出料口相邻,翻转装置位于液压机的出料口的下游,第一清洗装置位于翻转装置的下游,第二清洗装置位于第一清洗装置的下游,第一防错装装置位于第二清洗装置的下游,第二防错装装置位于第一防错装装置的下游,去磁装置位于第二防错装装置的下游。
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