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公开(公告)号:CN104073771B
公开(公告)日:2016-04-13
申请号:CN201410308148.1
申请日:2014-07-01
Applicant: 河北工业大学
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明公开的一种钼掺钠溅射靶材的制备方法,步骤如下:将高纯钼粉及钼酸钠粉末混合球磨后,加入PVA充分研磨获得混合粉末;用冷等静压方式将混合粉末均匀压制成靶坯;将靶坯封入真空石英管内,置于马弗炉中采用多段升温的方式烧结;机械加工获得钼掺钠溅射靶材。本发明采用先将靶坯封入真空石英管中再进行烧结的方法,既避免了如真空热压机等大型设备的使用,又可以将多个封有靶坯的真空石英管同一批次烧结处理,极大的节约了能源,降低了成本。此外,本发明采用多段升温的方式,使得靶坯中由PVA引入的C、H及O元素得到充分释放。本发明的方法工艺简单、能耗少且成本较低,Na的掺入含量可在较大范围内进行调控,有利于产业化的应用。
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公开(公告)号:CN104073771A
公开(公告)日:2014-10-01
申请号:CN201410308148.1
申请日:2014-07-01
Applicant: 河北工业大学
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明公开的一种钼掺钠溅射靶材的制备方法,步骤如下:将高纯钼粉及钼酸钠粉末混合球磨后,加入PVA充分研磨获得混合粉末;用冷等静压方式将混合粉末均匀压制成靶坯;将靶坯封入真空石英管内,置于马弗炉中采用多段升温的方式烧结;机械加工获得钼掺钠溅射靶材。本发明采用先将靶坯封入真空石英管中再进行烧结的方法,既避免了如真空热压机等大型设备的使用,又可以将多个封有靶坯的真空石英管同一批次烧结处理,极大的节约了能源,降低了成本。此外,本发明采用多段升温的方式,使得靶坯中由PVA引入的C、H及O元素得到充分释放。本发明的方法工艺简单、能耗少且成本较低,Na的掺入含量可在较大范围内进行调控,有利于产业化的应用。
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