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公开(公告)号：CN119220953A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411396618.4
申请日：2024-10-09
Applicant: 河北工业大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/448
Abstract: 本发明为一种常压化学气相沉积法生长多层及单层二碲化钨薄膜的方法。该方法以碲粉、三氧化钨为前驱体，添加溴化钾作为辅助生长剂，三氧化钨在溴化钾的作用下生成挥发性更强的前驱体，解决了三氧化钨所需温度较高的问题；并通过双温区管式炉分别对碲源和钨源进行生长温度及时间控制，以Si/SiO2衬底，氢氩混合气体为载气，通过调整前驱体之间的距离、生长温度和前驱体配比等，实现了二碲化钨薄膜厚度和形状的可控制备。本发明生长的二碲化钨薄膜具有优良的均匀性和较大的尺寸，且单层最大尺寸可达0.01 cm2，对后续基础物理特性研究及高性能电子器件的制备具有重要的积极作用。
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