-
公开(公告)号：CN119342949A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411545306.5
申请日：2024-11-01
Applicant: 河北工业大学
IPC: H10H20/01 , H10H20/812 , H10H20/825 , H10H20/832
Abstract: 本发明为具有湿法刻蚀P电极的发光二极管的制备方法。该方法在倒装结构DUV LEDs制备方法上，采用湿法刻蚀技术对已经形成良好欧姆接触的Ni/Au进行处理，即生长Ni后再生长Au，得到Ni/Au后，将其进行退火处理，然后再针对厚Au进行Au的刻蚀，把本来Au和Ni形成的颗粒去掉一部分Au，这样颗粒之间的间隙增大了，并造成Au的减薄，会减少对光的吸收，更多的光子可以通过空隙被金属反射镜反射，增加了其透过率。本发明克服了现有技术上P电极不能同时兼顾良好的欧姆接触特性和高透过率的问题。
Search Results
1
records
(took 0.017 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
