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公开(公告)号：CN114937561B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202210619385.4
申请日：2022-06-01
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种层状交错结构的氮化钨/氮化钼复合材料及其制备方法和应用。该材料为WN与MoN的复合物，具有三维交错层状复合结构，由超薄WN纳米片与MoN纳米片相互穿插组成了立体结构；制备方法中，采用盐模板合成方法，通过控制反应物中模板盐和钨/钼酸盐的质量比、反应物中钼酸盐的用量、煅烧温度和煅烧时间等条件，制备出了具有层状交错结构的WN/MoN复合材料。本发明合成的WN/MoN复合材料用作超级电容器的电极材料时，具有优异的电化学储能性质。该复合材料的制备方法具有操作简单、复合相组分可控、制备条件温和与低成本等优点。
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公开(公告)号：CN114743804B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202210367028.3
申请日：2022-03-31
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种具有纳米花状结构的氮化钨/氧化石墨烯复合材料及其制备方法和应用。该材料为WN与GO的复合物，WN与GO的质量比为85％:15％至65％:35％。其中，材料为自组装“花”状结构，“花”的整体尺寸大小约2～8μm，GO为骨架与支撑，WN纳米片沿着GO的边缘和褶皱表面组装和生长。制备方法中，采用了液相自组装‑低温煅烧合成方法，通过对分散液中WN/GO的质量比、分散液的浓度和煅烧温度等条件的严格控制，制备出纳米花状结构的WN/GO复合材料。本发明具有操作简单、复合相组分可控、制备条件温和与低成本等优点。
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公开(公告)号：CN114937561A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210619385.4
申请日：2022-06-01
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种层状交错结构的氮化钨/氮化钼复合材料及其制备方法和应用。该材料为WN与MoN的复合物，具有三维交错层状复合结构，由超薄WN纳米片与MoN纳米片相互穿插组成了立体结构；制备方法中，采用盐模板合成方法，通过控制反应物中模板盐和钨/钼酸盐的质量比、反应物中钼酸盐的用量、煅烧温度和煅烧时间等条件，制备出了具有层状交错结构的WN/MoN复合材料。本发明合成的WN/MoN复合材料用作超级电容器的电极材料时，具有优异的电化学储能性质。该复合材料的制备方法具有操作简单、复合相组分可控、制备条件温和与低成本等优点。
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公开(公告)号：CN114743804A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210367028.3
申请日：2022-03-31
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种具有纳米花状结构的氮化钨/氧化石墨烯复合材料及其制备方法和应用。该材料为WN与GO的复合物，WN与GO的质量比为85％:15％至65％:35％。其中，材料为自组装“花”状结构，“花”的整体尺寸大小约2～8μm，GO为骨架与支撑，WN纳米片沿着GO的边缘和褶皱表面组装和生长。制备方法中，采用了液相自组装‑低温煅烧合成方法，通过对分散液中WN/GO的质量比、分散液的浓度和煅烧温度等条件的严格控制，制备出纳米花状结构的WN/GO复合材料。本发明具有操作简单、复合相组分可控、制备条件温和与低成本等优点。
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