公开(公告)号：CN118910543A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410954596.2

申请日：2024-07-17

Applicant: 河北大学

Inventor： 张瑜 ,  王嘉文 ,  于威 ,  娄存广 ,  靳楠 ,  路万兵 ,  刘海旭 ,  苏苹

IPC: C23C14/06 ,  H01L31/18 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明属于二维薄膜制备与其光伏应用技术领域，具体涉及一种法拉第静电屏蔽磁控溅射装置，包括磁控溅射设备、太阳电池及接地栅网电极，所述栅网电极安置在基片与靶材之间且与靶材电学接触，所述金属栅网孔径为2mm；MoS2薄膜，所述MoS2薄膜在磁控溅射制备过程中引入静电屏蔽效应；所述太阳电池结构从上至下依次为：正面Ag金属栅指电极、正面ITO层、正面MoS2薄膜、正面SiOx钝化膜、P型硅基底、背面SiOx钝化膜、背面硼掺杂μc‑SiOx:H层、背面ITO层、背面Ag金属电极。本发明能够降低薄膜沉积过程的离子轰击效应，从而改善MoS2薄膜特性并提升其硅基太阳电池的光伏性能。